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第十三章 化学机械平坦化

硅片制造涉及薄膜的淀积和生长工艺，以及之后形成器件和内部互连结构所需的多次图形制作。先进的IC需要至少6层或更多的金属布线层，每层之间由层间介质（ILD）隔开。建立器件结构和多层内连线会很自然的在层之间形成台阶，出现不平整的硅片表面。层数增加时，硅片的表面起伏将更加显著，而一个可接受的台阶覆盖和间隙填充对于芯片的成品率和长期可靠性是至关重要的。 表

面起伏的主要负面影响是在光刻时对线宽失去了控制，由它引起的光刻胶厚度不均是限制亚微米光刻的主要因素。这种不均是因为受到步进光刻机焦深的限制，也难以在刻蚀后台阶上不均匀的光刻胶上制作图形。在图 13.1中，可以看到一

个单层金属IC,用以说明硅片的表面起伏。

图111表面區伏的单层金厲IC

更高的芯片封装密度加剧了表面起伏的程度，会出现更高的台阶和深宽比更大的沟槽，使台阶覆盖和沟槽填充变得更困难，造成光刻时对线宽失去控制。

被平坦化的硅片拥有平滑的表面，填充低的部分，或去掉高的部分是使硅片表面平坦化的两种方法。在硅片表面进行平坦化对于后续工艺步骤是很重要的。在硅片上，可以进行局部平谈话，它只对一个芯片中近距离起伏特点起作用，也可以对包含所有芯片的整个硅片表面进行全局平坦化。

13.1 传统的平坦化技术

13.1.1反刻

由表面图形形成的表面起伏可以用一层厚的介质或其它材料作为平坦化的牺牲层来进行平坦化，这一层牺牲层材料填充空洞和表面的低处。然后用干法刻蚀技术刻蚀这一层牺牲层，通过用比低处图形快的刻蚀速率刻蚀掉高处的图形来使表面平坦化。这一工艺称为反刻平坦化（见图 13.2）。刻蚀过程一直进行，直

到被刻蚀的介质层达到一个最后的厚度，同时平坦化材料仍然填充着表面的低处。有不同的反刻工艺，这取决于图形、金属层次等。把表面相近的台阶变得平滑是一种局部平坦化。反刻不能实现全局的平坦化。

反则后的舉貌B813.2肚平坦化L平坦化的材料

反则后的舉貌

B813.2肚平坦化

L平坦化的材料

朮厠胶或S4JG

不希毘的起伏

13.1.2玻璃回流

硼磷硅玻璃（BPSG）和其他掺杂氧化硅早已被用做层间介质，是采用APCVD淀积的。玻璃回流是在升高温度的情况下给掺杂氧化硅加热，使它发生流动。BPSG的这种流动性能用来获得台阶覆盖处的平坦化或用来填充缝隙， 如

此就可以获得在图形周围进行部分平坦化的方法。但是不足以满足深亚微米 IC

中的多层金属布线技术的要求。见图13.3。

13.1.3旋涂膜层

旋涂膜层是在硅片表面上旋涂不同液体材料以获得平坦化的一种技术， 主要

用作层间介质。旋涂利用离心力来填充图形低处，获得表面形貌的平滑效果。这种旋涂法的平坦化能力与许多因素有关，如溶液的化学组分、分子重量以及粘滞度。旋涂的膜层材料是有机或无机的材料，包括光刻胶、旋涂玻璃 （SOG）和

多种树脂。旋涂后的烘烤蒸发掉溶剂，留下溶质填充低处的间隙。旋涂膜层不能完全填充表面的缝隙。

13.2化学机械平坦化

化学机械平坦化（CMP）是一种表面全局平坦化技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有磨料，并同时施加压力（见图13.4）。CMP设备也常称为抛光机。CMP通过比去除低处图形快的速度去除高处图形来获得均匀的硅片表面。由于它能精确并均匀地把硅片抛光为需要的厚度和平坦度，已经成为一种最广泛采用的技术。 CMP的独特方面

之一是它能用适当设计的磨料和抛光垫，来抛光多层金属化互连结构中的介质和金属层。

向下施加力

SL3.4化学机械平坦化的原理图

CMP的平整度CMP在制造中用来减小硅片厚度的变化和表面形貌的影响。硅片的平整度和均匀性的概念在描述CMP的作用方面很重要。平整度描述从微米到毫米范围内硅片表面的起伏变化，均匀性是在毫米到厘米尺度下测量的，反映整个硅片上膜厚度的变化。因此，一个硅片可以是平整的，但不是均匀的，反之亦然。这里可以这样来理解：硅片上两个特殊区域能够被抛光得很平整，但硅片上每一个这样的区域被抛光为不同的厚度。所以对于每个区域自己来说都具有很好的平整度，但彼此之间均匀性就很差。

平整度（DP）指的是，相对于CMP之前的某处台阶高度，在做完CMP之后，这个特殊台阶位置处硅片表面的平整程度（见图 13.5）。

因此，DP与某一特殊图形有关，DP可通过下式来计算：

DP（%）=（1—SHpost/SHpre）X100 （13—1）

其中，DP=平整度

SHpost=CMP之后在硅片表面的一个特殊位置，最高和最低台阶的高度差

SHpre=CMP之前在硅片表面的一个特殊位置，最高和最低台阶的高度差如果CMP之后测得硅片表面起伏是完全平整的，则