探针方法测量半导体的电阻率.pptVIP

探针方法测量半导体的电阻率〈一〉实验目的〈二〉实验原理〈三〉仪器结构特征〈四〉操作步骤〈五〉注意事项〈六〉技术参数理解四探针方法测量半导体电阻率的原理；学会用四探针方法测量半导体电阻率。一实验目的二实验原理四探针法测量原理图体电阻率测量：当１、２、３、４四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上，在１、４两处探针间通过电流I，则２、３探针间产生电位差V。12材料电阻率式中：S1、S2、S3分别为探针１与２，２与３，３与４之间距，用cm为单位时的值，S1=S2=S3=1mm.每个探头都有自己的系数。C?6.28?0.05单位cm。若电流取I=C时，则ρ＝V，可由数字电压表直接读出。探针系数(1)(2)块状和棒状样品体电阻率测量：由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎于半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由（１）、（２）式求出。簿片电阻率测量簿片样品因为其厚度与探针间距比较，不能忽略，测量时要提供样品的厚度形状和测量位置的修正系数。0102电阻率值可由下面公式得出：式中：ρ0为块状体电阻率测量值；W：为样品厚度（um）；S：探针间距（mm）；G(W/S)为样品厚度修正函数，可由附录IA或附录1B查得；D(d/S)为样品形状和测量位置的修正函数，可由附录２查得。W/S＜0.5