片式叠层陶瓷电容器(MLCC).ppt

镍电极MLCC烧成-排胶升温*04030102残余有机黏合剂的排除，升温速率太快容易产生开裂及内电极挥镍通入氮和氢的混合气体来实现还原气氛内电极与陶瓷体的收缩存在一定差异，减弱烧结过程中内电极与陶瓷体之间的应力有机黏合剂的挥发，坯体的气孔率增加，重量减轻，同时体积稍有收缩另外升温速率对MLCC的烧结有着关键影响，因为在MLCC烧结过程中，内电极金属与陶瓷体的收缩存在一定差异，为使二者收缩曲线更接近，达到共烧的目的，通常在内电极浆料中加入一些超细陶瓷粉，这样可改善内电极的收缩曲线，减弱烧结过程中内电极与陶瓷体之间的应力。但仅仅是在内浆中的调整还不能完全缓解其内应力，还要在烧结曲线中进行调节。镍电极MLCC烧成-高温及保温*体积显著收缩，气孔大大减少，表面光泽改变，机械强度增加通常贱金属MLCC的烧结温度为1200-1350℃，保温时间为2-4小时氮和氢的混合气体来实现还原气氛，选择P(O2)为10-8-10-12之间陶瓷形成的主要阶段，坯体内的物理化学反应更加迅速和充分镍电极MLCC烧成-降温*液相凝固、析晶相变快速冷却，可防止细小晶粒变粗以及发生晶型转变，保持其致密结构，提高产品机械性能冷却过快可能造成产品散热不均匀而开裂，降温速率在2.0-5.0℃/min左右还原气氛介质厚度方面进展*降低介质厚度是降低成本的一个重要因素.在薄质大容量MLCC制造领域,日系生产商中以太阳诱电(TAIYOYUDEN)公司最为著名.目前,世界上主要MLCC生产商都在日本,如TDK、村田(Murata)、太阳诱电、京瓷(Kyocera)等公司.日本MLCC的关键技术都处于保密状态之中.美国的几家电容器企业,包括AVX、KEMET(基美)等在薄介质、高层数方面虽然比日本慢3年~5年,但亦已经做到500层以上,介质膜厚8μm.介质厚度方面进展(续)*当前世界最高水平的全自动大生产是在日本的TDK,它的全自动大生产化操作的介质厚度可达4μm,而实验室可做出2μm以下介质层厚度以及容量100μF以上的MLCC.据报道,目前在日本,500层的MLCC已正常生产,800层技术已成熟,最高层数(实验室内)已达1000层之多,相应的电极层厚度趋于1μm以下,介质厚度逼近1μm.介质厚度方面进展(续)*介质膜厚度进一步减至3μm~5μm时,相应的电子陶瓷材料粒度亦下降至0.1μm~0.2μm,而且对粉体的形貌要求越来越高.由于电子陶瓷原材料在薄质大容量MLCC工艺技术中至关重要,日本厂家都是自产自用.风华集团代表了国内MLCC制作的最高水平,掌握了材料的核心关键技术,成膜技术达到3μm,丝印叠层技术达到500层.12降低介质厚度(续)*在介质薄片成型方面能否有所突破,能制备出更薄的介质片(超过1微米极限),能生产出容量更大的MLCC?请各位同学思考!也许你今天的想法就是明天制作技术发展的方向!没有你做不到的，只有你想不到的。内电极制作-丝印*在流延制好的陶瓷介质膜片上将内电极浆料印刷成一定形状与尺寸的内电极图形，并利用错位、叠印的方法形成内电极结构?丝网印刷法丝网板的结构:它是将丝网(单根聚脂丝或不锈钢丝)紧绷在铝制框架上，获得一个平坦而有柔性的丝网表面，丝网上粘有光敏乳胶，用光刻法制作出开口图形。开口部分与印制板上的焊盘相对应。*丝网印刷的原理：?利用了流体动力学的原理静态时，丝网与SMB之间保持“阶跃距离”，刮刀刷动时，向下的压力使丝网与SMB接触，当刮刀向前移动，在它后方的丝网即回弹脱离SMB表面，结果在SMB焊盘上就产生一低压区，由于残留在丝网孔中焊膏上的大气压与这一低压区存在压差，所以就将焊膏从网孔中推向SMB表面，形成焊膏图形。。内电极制作-丝印的要求*上下电极正对位置不能有移位或偏斜，否则将直接影响MLCC的电容量和可靠性金属量用的多会造成成本上升，用的少了会导致烧结后电极层连续性差，影响电容器的容量，并使其损耗增加当印刷不均匀或不平整的时，当芯片在受到电场作用时，内电极凹凸处会因为骤集过多的电荷而使内电极被击穿，或形成板电阻而使内电极发热过度烧坏。生产车间的尘埃含量控制在小于每立方米5颗（小于等于5μm的尘埃）内电极剖面SEM*内电极制作-叠层*将印刷好内电极图形的陶瓷介质膜片按产品设计要求，借助于膜片本身的黏性和叠层机的压力将膜片叠在一起形成一个整体，简称电极巴块。电容芯片制作-层压*目的：提高烧结后瓷体的致密性电容芯片制作-切割*切割是将产品切割成设计尺寸大小的一粒粒芯片的过程。切割方式有直刀式和圆刀式