无机材料物理化学第8章.pptVIP

无机光折变材料的光折变效应最早是由美国贝尔实验室的Ashkin等人于1966年发现的。从那以后，各国研究人员已研究了大量的无机光折变材料，主要可细分为三类：铁电晶体如铌酸锂（LiNbO3）、钽酸锂（LiTaO3）、钛酸钡（BaTiO3）和铌酸钾（KNbO3）等；铋硅族氧化物如硅酸铋（Bi12SiO20）、锗酸铋（Bi12GeO20）和钛酸铋（Bi12TiO20）等;3）化合物半导体如磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、碲化镉（CdTe）、硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）和硫化锌（ZnS）等。作为体全息存储介质，铁电晶体的显著优点是衍射效率高，但它们的灵敏度较低，响应速度较慢。与铁电晶体的这些性能正好相反，铋硅族氧化物和化合物半导体的优点是灵敏度高，响应速度快，但衍射效率较低。大多数无机光折变材料的光谱响应区在300-650nm?m的近红外区。由电滞回线可测出铁电材料在外电场为零时的剩余极化强度Pr、使极化强度重新为零时所需要的外电场强度（即矫顽场强）Ec和自发极化强度Ps等。04所谓电滞回线，是指与铁磁体在磁场作用下的磁滞回线形状相似的一种描述铁电体在电场作用下极化强度随电场变化关系的滞后回线。由电滞回线可知，铁电体极化强度随电场的这种变化并不是线性的，在一定的温度范围内，极化强度是电场的双值函数。并且，极化强度随外电场反向而反向。03铁电存储材料是指用于铁电随机存取存储器（FRAM）和高容量动态随机存取存储器（DRAM）的一些铁电薄膜材料。01FRAM是利用铁电存储材料固有的双稳态极化特性—电滞回线制备的永久性（又称为非挥发性）存取存储器件。这类存储器具有永久存储的能力，即断电时也能保持存储的信息。此外，它们还具有读写速度快、开关性能好、抗辐射能力强等优点，可用于计算机的高速、高密度永久性存储。025.6铁电存储材料规定凹坑和平台的长度代表0的个数，凹坑和平台交界的边沿处为1。其上再依次镀上Al反射膜和保护涂层。读出时用激光从光盘盘基入射、穿过盘基被聚焦到上述凹凸结构表面。照射到平台上的反射光因相位相同，干涉后增强，由于凹坑宽度小于光斑直径，照射到凹坑处的激光一部分落到凹坑底部被反射，一部分在平台上反射，又由于凹坑被设计成1/4波长的深度，被凹坑底部反射和平台反射的反射光的光程差为1/2波长，满足干涉相消的条件，故强度减弱。因此，在光盘放送过程中，激光唱机的光电二极管就会探测到反射光的这种强弱变化并将光信号转换成电信号，然后通过纠错、解调、数/模转换把数字信号转化成模拟信号输出(见图5.6)。图5.6只读式CD光盘表面的凹凸结构和读出原理（a：Land；b：Pit）各种功能的只读式CD光盘的膜层结构基本相同，只是由于记录的信息不同(音频、视频信号或数据),采用的压缩技术不同，光盘表面的分区结构有所不同。只读式DVD光盘的膜层结构比只读式CD光盘的要复杂一些。首先，如前所述，DVD是由两块0.6mm厚的盘基相对粘合而成的。DVD的盘基材料与CD的相同，也是聚碳酸树脂。两块盘基之间的粘合层是紫外硬化树脂。只读式CD光盘一般取单面单层的方式记录信息。但只读式DVD光盘按照记录信息的面和层的多少，可分为DVD-5（单面单层，存储容量为4.7GB）、DVD-9（单面双层,存储容量为8.5GB）、DVD-10(双面单层，存储容量为9.4GB)、DVD-18(双面双层，存储容量为17GB)。因此，不同存储容量的只读式DVD光盘的膜层结构各不相同。图5.7各种只读式DVD光盘的膜层结构01025.3.2可擦重写无机光盘存储材料可擦重写光盘存储材料按照光盘读、写、擦原理的不同，主要分为磁光材料和相变材料两种。MO和MD等磁光盘采用磁光存储材料；相变光盘PCD、PD、CD-RW、DVD-RAM、DVD-RW和DVD+RW等光盘都采用相变材料。5.3.2.1磁光材料磁光存储的写入和擦除原理：当用脉冲聚焦激光束瞬间照射磁化矢量垂直于膜面的磁光薄膜表面，使光照微区急剧升温至薄膜的居里温度(Tc)时，该微区会发生退磁，自发磁化强度消失为零(M=0)。当激光脉冲结束后，该微区温度下降，至Tc以下后，磁矩逐渐变大并与磁光读写头上的反向偏置磁场(Hb)方向一致。与此同时，由于磁光薄膜的矫顽力(Hc)大于反向偏置磁场Hb,磁光薄膜未经光照的其它区域的磁化矢量方向保持不变，从而光照微区和周围其它区域的磁化方向正好相反，也就是说实现了记