氧化物及六方氮化硼忆阻器随机电报噪声特性与机制探究.docx

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2025-02-28 发布于上海
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氧化物及六方氮化硼忆阻器随机电报噪声特性与机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对存储和计算能力的需求呈指数级增长，传统的计算机体系结构面临着严峻的挑战，尤其是处理器与内存之间的数据传输瓶颈，即“存储墙”问题，严重限制了计算效率的提升。忆阻器作为一种具有独特记忆特性的非线性电阻元件，被认为是最有潜力突破冯?诺依曼瓶颈的关键器件之一，有望引领未来计算机体系及存储计算领域的变革。自1971年蔡少棠教授从理论上提出忆阻器的概念，到2008年惠普实验室成功制造出首个忆阻器器件，忆阻器在学术界和工业界引发了广泛的研究热潮。其具备非易失性、高速、低功耗、高集成度以