第四章-半导体中载流子在电磁场中的运动课件.pptx

第四章半导体中载流子在电磁场中的运动;主要内容;一、电子的漂移运动;二、欧姆定律;ds表示A处与电流垂直的小面积元，小柱体的高为;n是电子浓度，q是电子电荷;平均漂移速度的大小与电场强度成正比：;电流密度决定于电子浓度、迁移率;四、半导体的电导率和迁移率;μn，μp分别代表电子和空穴迁移率；

Jn，Jp分别代表电子和空穴电流密度；

n,p分别代表电子和空穴浓度;本征：;例：求1×1×1cm3纯硅电阻。比较As、B掺杂后的电阻，掺杂原子与Si原子比例为1：109(1ppb);2.掺杂As：N型;§4.2载流子的散射;设τ1为第一次散射的时间，τ2…,τN为第N次散射的时间;外电场作用下载流子的漂移运动;二、载流子的平均自由时间τ与散射几率P的关系;△t→0时：;它们的自由时间总和为：;三、迁移率、电导率与平均自由时间的关系;在dt时间内，所有遭到散射的电子的速度总和为：;τn电子的平均自由时???;2.迁移率和电导率与平均自由时间的关系;电子电导率:;推导电导有效质量示意图;外加电场在z方向，;设导带电子浓度no，;→;—电导迁移率;←低温、掺杂浓度高;电离杂质散射示意图;电离杂质的散射几率Pi与温度T和杂质浓度Ni的关系：;对补偿型半导体：;2.晶格散射（格波散射）;;●格波的能量：;平衡时;平衡时;膨胀状态—

原子间距增大;;纵声学波→原子疏密变化→附加形变势→能带极值变化→Eg变化;(3)光学波的散射

;平衡时;+++

-

++++

--

+++;纵光学波的散射几率Po:;对原子晶体：;(4)其他散射机构;几种散射机构同时存在时;§4-3迁移率及电阻率与温度和杂质浓度的关系;●纵声学波：;●纵光学波;2.实际材料μ的表达式;●Si、Ge;3.影响μ的因素;T;(2)杂质浓度Ni的影响;Ni;(3)m*的影响

;二、半导体材料电阻率与温度和杂质浓度的关系;1本征半导体材料;T;(1)ρ与ND的关系(T恒定);电阻率;●弱电离区;●饱和区;●本征区;补偿掺杂Si半导体：

以1017cm-3As原子掺杂，计算300K和400K下的电导率。

上述半导体进一步掺杂9×1016cm-3B原子，计算上述温度下的电导率。;§4-4波尔兹曼方程电导率统计理论;热平衡态(温度恒定均匀)的分布函数f0：;1.波尔兹曼方程;非平衡状态下Boltzman方程的一般形式：;1).稳态下的Boltzman方程：;2.驰豫时间近似;3.弱电场近似下Boltzman方程的解;可写成：;长声学波散射时：;§4-5强电场效应;●E＜103V/cm时，J∝E，μ与E无关；;二、强电场效应的理论分析;平均漂移速度：;(2)较强电场103＜E＜105V/cm;∴平均漂移速度Vd与电场无关;7;极值点在坐标原点1：

mn*=0.067mo;;电场力：fE=qEy;(RH)P为P型材料的霍尔系数。;VH为霍尔电压;3.霍尔效应实验—空穴迁移率μ和电导率σ;二、N型半导体的霍尔效应;假设对N型半导体加的磁场、电场与P型相同，达到稳态，y方向无净电荷流动;Ex;两种载流子同时存在;三、两种载流子同时存在时霍尔效应;－y方向;+y方向;(2)y方向上的电子电流密度(Jn)y;(1)本征半导体：n=p=ni;1/T;(2)N型半导体;●温度再升高，少子浓度升高;1/T;(3)p型半导体;●过渡区;1/T;ND或NA升高，RH下降;四、霍尔效应应用;;由于磁场的存在引起电阻的增加，称这种效应为磁阻效应。;按机理分;磁阻的大小：;二、物理磁阻效应;VVx的空穴：;只考虑一种载流子的材料的磁阻效应，磁阻通常表示为：;2．同时考虑两种载流子;;此种磁阻表示为：;三、几何磁阻效应;;3．园盘形样品;四、磁阻效应的应用;第四章小结;四、强电场效应;第四章思考题与自测题

试从经典物理和量子理论分别说明散射的物理意义。

比较并区别下述物理概念：电导迁移率、霍耳迁移率和漂移迁移率。

什么是声子？它对半导体材料的电导起什么作用？

强电场作用下，迁移率的数值与场强E有关，这时欧姆定律是否仍然正确？为什么？

半导体的电阻系数是正的还是负的？为什么？

有一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。

如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高？为什么？

光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？

说明本征锗和硅中载流子迁移率温度增加如何变化？

电导有效质量和状态密度有何区别？