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寒冬过后存储芯片波澜再起

大模型时代科技公司加大了对人工智能的投入，算力膨胀有赖于存储性能的提升，用于高性能GPU的HBM芯片供不应求。模组厂商则从移动存储市场出发，逐步发展至固态硬盘及嵌入式存储领域，AIPC的产业趋势增加对更高速率DDR5内存的需求，这将有助于推动内存模组配套芯片及内存接口芯片需求的提升。

大模型带来人工智能应用的兴起，对算力的追求导致所需的存储规模膨胀。AIPC和AI手机对存储的速度要求高，HBM成为AI服务器的内存之选。HBM是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少运算延迟，适用于高带宽需求的场景。

全球HBM芯片由SK海力士、三星和美光生产，英伟达即将发布下一代GPU——采用Blackwell架构的B100芯片，其存储器规格将采用HBM3E，由SK海力士和美光供货。

DRAM规格向DDR5和LPDDR5转变，DDR5、LPDDR5每千兆字节的价格比DDR4和LPDDR4更高，PC、服务器接口亦向DDR5、LPDDR5转变。美光估计AI服务器的DRAM容量约为普通服务器的6-8倍，海力士估计AI服务器的DRAM容量约为普通服务器的2-4倍。

由于AIPC需要更高带宽的内存提升整体运算性能，AIPC的产业趋势或将加速DDR5在PC端的渗透率，并增加对更高速率DDR5内存的需求，这将有助于推动SPD等内存模组配套芯片及CKD芯片需求的提升。

由于存储芯片晶圆成本占比较高，各第三方模组厂均需要围绕成本进行产出优化，主要路径包括建立产业链合作关系、自建封测厂、自研主控芯片等，模组厂可深度参与多种应用芯片的架构设计，可与芯片供应商合作开发更贴近终端需求的存储应用芯片，甚至可以自研主控芯片，从而提升自身产品差异化优势，优化芯片采购成本。

在NAND市场，存储原厂主要聚焦于自主品牌的企业级或数据中心级固态硬盘和嵌入式存储产品，并且逐步退出移动存储市场。模组厂则主要从移动存储市场出发，提升自身产品竞争力，凭借差异化竞争逐步发展至固态硬盘及嵌入式存储领域。在DRAM内存市场，存储原厂的DRAM市场规模有较大的浮动，但存储模组厂占据的市场规模整体较稳定，市场规模在160亿-180亿美元，约占DRAM市场的16%-25%，且呈现上升趋势。