辐射度量及探测基础知识.ppt

光度量只在光谱的可见波段(380-780nm)才有意义。辐射度量符号单位光度量符号单位辐射能QeJ光量Qlm.s辐射通量ΦeW光通量Φlm（流明）辐射强度IeW/sr发光强度Icd（坎德拉）=lm/sr辐射照度EeW/m2光照度Elx(勒克斯)=lm/m2辐射出射度MeW/m2光出射度Mlm/m2辐射亮度LeW/sr.m2光亮度Lcd/m2第20页，共69页，星期日，2025年，2月5日光辐射基本定律和公式（1）朗伯定律理想的漫射发光或漫反射面，在某方向上的辐射强度同该方向与表面法线夹角呈余弦函数关系，若发光面法线方向的发光强度为I0,则与法线夹角为θ的方向的发光强度为：Iθ=I0cosθ（2）布给定律被照射面上的照度E同垂直照明时照度E0的关系是：E=E0cosθ（3）平方反比定律由点光源形成的照度，与该光源在一定方向上的发光强度成正比，而与被照面到点光源的距离平方成反比。即E=I/l2第21页，共69页，星期日，2025年，2月5日（4）亮度守恒定律光辐射能在两种介质边界面上没有吸收、反射等损失时，则在两种介质里的亮度满足关系：在一般成像光学系统中，像面亮度L’与物体亮度L有如下关系：L’=τ(n’/n)2L式中n，n’——物、像空间折射率；τ——光学系统的透过率光辐射能在同种传输介质中没有损失时，表面2的亮度和表面1的亮度是相等的。第22页，共69页，星期日，2025年，2月5日（5）普朗克定律黑体的光谱辐射出射度同波长λ、绝对温度T之间的关系式：式中：c-光速；k-玻尔兹曼常数；h-普朗克常数。第23页，共69页，星期日，2025年，2月5日（6）斯特芬——玻尔兹曼定律黑体辐射全部波长成分的总辐射出射度与黑体的绝对温度的四次方成正比。即：MeB(T)=σT4式中σ=5.67×10-8W·m-2·K-4，称为斯特芬——玻尔兹曼常数。黑体的峰值辐射波长λm随辐射体绝对温度T的变化呈反比关系：λmT=2897.8μm·K（7）维恩位移定律第24页，共69页，星期日，2025年，2月5日光辐射源按发光机理，光电检测系统中的光源分为：热辐射光源：太阳；白炽灯；黑体辐射。气体放电光源：汞灯；荧光灯；钠灯；氙灯；金属卤化物灯；氘灯；空心阴极灯。固体发光光源：场致发光灯；发光二极管。激光器：气体激光器；固体激光器；染料激光器；半导体激光器。第25页，共69页，星期日，2025年，2月5日光源的基本特性参数（1）辐射效率和发光效率在给定波长范围内，某光源发出的辐射通量与所消耗的电功率之比称为该光源在此光谱范围内的辐射效率：某光源发射的光通量与产生这些光通量所消耗的电功率之比，就是该光源的发光效率：第26页，共69页，星期日，2025年，2月5日常用光源的发光效率光源ηv/lm·W-1光源ηv/lm·W-1钨丝灯8~18高压汞灯30~40卤钨灯14~30高压钠灯90~100普通荧光灯35~60球形氙灯30~40三基色荧光灯55~90高亮度LED70~120金属卤化物灯60~80第27页，共69页，星期日，2025年，2月5日?物体按导电能力分：导体、绝缘体和半导体。做光电器件的主要材料为半导体，电阻率在10－6～10－3Ω?cm范围之内的物质称为导体；电阻率大于1012Ω?cm以上的物质称为绝缘体；介于它们之间的物质称为半导体第二节、半导体物理基础第28页，共69页，星期日，2025年，2月5日?半导体的电阻温度系数一般是负的。它对温度的变化非常敏感。?半导体的导电性能可受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。?半导体的导电能力及性质会受热、光、电、磁等外界作用的影响而发生非常重要的变化。一、半导体的特性第29页，共69页，星期日，2025年，2月5日导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。绝缘体、半导体、金属的能带图a)绝缘体?b)半导体?c)金属2、半导体的导电机制第30页，共69页，星期日，2025年，2月5日?半导体两端加电压后:如果价带中填满了电子而没有空能级，在外电场的作用下，又没有足够的能量跃迁到导带，那么价带中的电子是不导电的。价带导带禁带(满带)第31页，