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光调控下TiO₂复合结构薄膜电致阻变特性的深度剖析与应用展望.docx

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光调控下TiO?复合结构薄膜电致阻变特性的深度剖析与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代,电子设备的飞速发展对材料性能提出了越来越高的要求,材料科学与电子学领域的研究也因此成为了推动科技进步的关键力量。在众多材料中,TiO?凭借其独特的物理化学性质,如高化学稳定性、强氧化还原性、良好的光学性能以及无毒无害等特性,在光催化、传感器、太阳能电池、电致变色器件等多个领域展现出了巨大的应用潜力,成为了研究的焦点。

TiO?是一种宽带隙半导体材料,其禁带宽度约为3.2eV(锐钛矿型)。在光照条件下,当光子能量大于其禁带宽度时,价带电子会被激发跃迁到导带,从而在价带留下空穴,形成

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