交通设备与控制工程测试技术 课件 05 传感器技术;06 温度测量.pptx

第五章传感器技术;主要内容;;5.1电容传感器;5.1.1极距变化型电容传感器;5.1.1极距变化型电容传感器;5.1.2面积变化型电容式传感器;5.1.2面积变化型电容式传感器;5.1.2面积变化型电容式传感器;5.1.3介电常数变化型电容式传感器;5.1.4电容传感器的特点与应用;5.1.4电容传感器的特点与应用;5.1电容传感器;5.1电容传感器;5.2电阻传感器;大量实验表明，在电阻丝拉伸比例极限范围内，电阻的相对变化与其所受的轴向应变成正比，即S0为常数，于是公式也可以写成：;电阻应变片的分类及材料;;应变片的粘贴步骤：;注意事项：;5.2电阻传感器;则半导体材料的灵敏度系数S0为：;压阻式传感器的类型与特点;5.2电阻传感器;利用电位器作为传感元件可制成各种电位器式传感器，除可以测量线位移或角位移外，还可以测量一切可以转换为位移的其它物理参数，如压力、加速度等。;5.2电阻传感器;5.2电阻传感器;5.3电磁传感器;5.3电磁传感器;（b）角速度型;5.3电磁传感器;5.3电磁传感器;5.4霍尔效应传感器;在传感器制造中，霍尔元件常常被用作磁场传感器。通过将霍尔元件与磁场相互作用，可以测量出磁场的强度和方向，从而实现对物理量的测量和控制。霍尔式传感器是一种的典型的静磁式磨粒监测传感器，是利用霍尔效应制作而成的磁敏感器件，其工作原理图如图515所示。;霍尔电压Uh的大小由霍尔常数Rh、霍尔元件的电流I、外部磁场强度B、霍尔元件的厚度d以及霍尔元件的形状函数f决定;5.5压电传感器;通常从晶体上沿轴线切下一个平行六面体切片，使其晶面分别平行于晶体的三根晶轴。切片在受到沿不同方向的作用力时会产生不同的极化作用，如图所示，主要的压电效应有横向效应、纵向效应和剪切效应三种。;石英（SiO2）是一种具有良好压电特性的压电晶体。其介电常数和压电系数的温度稳定性相当好。在20℃～200℃范围内，温度每升高1℃，压电系数仅减少0.016％。但是当到573℃时，它完全失去了压电特性，这就是它的居里点（居里点：丧失压电性的温度）。

压电陶瓷是人工多晶铁电体，原始的压电陶瓷呈现各向同性不具有压电性，因此，必须作极化处理，即在一定温度下对其施??强直流电场，迫使电畴趋向外电场方向作规则排列

极化电场去除后，趋向电畴基本保持不变，形成很强的剩余极化，从而呈现出压电性。在陶瓷上施加外电场时，电畴的极化方向发生转动，趋向于按外电场方向的排列，从而使材料得到极化。压电陶瓷也具有压电效应和逆压电效应。;5.5压电传感器;当压电元件受外力作用时，两表面产生等量的正、负电荷Q，压电元件的开路电压U为：;5.6光传感器;根据爱因斯坦假说，一个光子的能量只能给一个电子。因此，如果一个电子要从物体中逸出表面，必须使光子能量E=hν大于表面逸出功A，这时，逸出表面的电子就具有动能，即;内光电效应：在光的照射下材料的电阻率发生改变的现象;5.6.2光电二极管和光电三极管;光电三极管有NPN和PNP两种类型，NPN型光电三极管的电路连接如图523所示。当集电极加上相对于发射极为正的电压而基极开路时，集电结处于反向偏置状态。当光线照射到集电结的基区，会产生光生电子一空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下了带正电的空穴，使基极与发射极间的电压升高。这样，发射极（N型材料）便有大量电子经基极流向集电极，形成光电三极管的输出电流，从而使光电三极管具有电流增益作用。;5.6.3光电式传感器的类型;（b）反射式;脉冲光式电传感器;5.6光传感器;;5.6光传感器;5.7超声传感器;5.8MEMS传感器;5.8MEMS传感器;5.8.2MEMS传感器应用;5.9边缘计算模块;5.9边缘计算模块;第六章温度测量;主要内容;;6.1温标;（2）国际实用温标ITS-90简介;6.2温度测量原理;6.2温度测量原理;6.3热电偶;（2）温差电势;6.3热电偶;因此，一个由A、B两种均匀导体组成的热电偶，当接点温度分别为T，T0，如图6?2（c），时，如果TT0，则回路中总的热电势可用下式表示。其中接触电势的大小要远大于温差电势大小。;结论：;6.3.1基本定律;中间导体定律-推论2;6.3热电偶;6.3热电偶;6.3热电偶;（2）热电偶的分类;1）铂铑—铂铑热电偶（分度号B）

也称双铂铑热电偶，是一种典型的高温热电偶。以铂铑(铂70％，铑30％)为正极，铂铑(铂94％，铑6％)为负极，其测温上限长期使用可达1600℃，短期可达1800℃。其热电特性在高温下更为稳定，适于在氧化性或中性介质中使用。但它产生的热电势小，价格高。在室温下热电势极小(25℃时为2μV