种基于厚膜陶瓷电容的微位移传感器.pptVIP

其中；为边缘效应因子；h为极板厚度；δ为间隙边缘效应造成传感器边缘电场畸变，使工作不稳定，非线性误差增加克服边缘效应造成传感器边缘电场畸变；增加性能稳定性，减小非线性误差。设计保护环电路，消除边缘效应：在上电极增加参考电极01增设补偿电容：在结构设计时,采用带有补偿电容(保护环)的结构，为消除边缘效应的影响，；02补偿电容与测量电容同心，电气上绝缘，且间隙越小越好；03补偿电容始终保持等电位，以保证测量电容（中间工作区）始终得到均匀的电场分布。边缘效应的消除方法寄生电容干扰的排除传感器电容芯片的初始容量小（约20pF）：对寄生电容干扰敏感；易导致传感器不稳定；排除办法：引线加粗、变短；有效接地和屏蔽；电路板的设计、布线及其优化；温度和湿度改变时，会导致传感器特性的漂移；?选用温度系数小、性能稳定的结构材料；上盖板和弹性膜片由96%Al2O3陶瓷构成，热膨胀系数低、温度系数低；?测量、参考电极分别采用Pd-Ag导体浆料印刷、烧结绍而成，热膨胀系数低、温度系数低，导电性能优良；?增大传感器的输出；?引线设计粗短，克服寄生、分布电容引起的干扰和不稳定。提高传感器的温/湿度稳定性PCB电路板通过插针与传感器连接，接出线长，极易产生寄生电容等干扰；01采用厚膜集成技术，不用PCB电路板，将放大信号处理电路、电容数字转换芯片、补偿电路直接印烧在陶瓷盖板上；02接线短，减小引线带来的寄生电容干扰，显著提高抗干扰能力，性能稳定；03处理电路的厚膜集成化微位移传感器性能检测与结果分析实验室检测方法：合肥智能所：浮球压力计等效模拟微位移测量法；沈阳自动化所：PI纳米操作台标定（PInanoposition/scanningstages，P-517.3CD）小挠度形变下，在实验室中用浮球压力计产生空气压力模拟PZT陶瓷驱动产生微小位移量，对制作的厚膜电容式微位移传感器进行分选，挑选合适的传感器样品封装后装配到微纳操作平台上进行标定和测试。智能所：浮球压力计模拟微位移测量法继续探索在机器人化微纳操作技术中的应用外，也可以尝试在诸如钢轨温度应力检测……等关键技术领域的应用一种基于厚膜陶瓷电容的微位移传感器高理升马以武中科院合肥智能所传感器的设计01厚膜电容式微位移传感器的研制02信号处理电路设计与优化03微位移传感器性能优化04微位移传感器性能检测与结果分析05总结与展望06一、传感器的设计提要变间隙式电容传感器原理及结构示意图厚膜电容式微位移传感器剖面结构示意图微位移传感器的芯片与外形结构设计电容芯片示意图传感器外观示意图传感器电容芯片的电极示意图理论仿真分析PZT驱动结构设计及其优化设计图（部分节选）电容芯片的电极版图（部分节选）二、厚膜电容式微位移传感器的研制总体工艺流程陶瓷弹性膜片、盖板选型传感器标定与性能测试厚膜电容式微位移传感器电路优化与集成化研究电容小信号处理电路设计厚膜电容芯片制作及分选丝网印刷、烧结工艺研究电极浆料、密封浆料遴选理论分析、有限元仿真版图设计、电容量控制工艺条件对传感器性能的影响分析；两电极之间的间隙δ；电极面积；结构材料、电极材料；电容电极间填隙材料的选择；印刷、烧结工艺的控制及优化：传感器工艺研究（1）两电极初始间隙（δ）电极半径为r,上下电极初始间隙为δ0的电容传感器，其初始电容量C0为受到PZT驱动后，式中：ε0=0.0885pF/cm——真空介电常数；εr——极板间介质的相对介电常数极板间距δ的计算极板间距受工作电场强度的限制，同时需要兼顾传感器的灵敏度、线性度以及量程等因素，其一般计算式为：式中，Vw：工作电压（V）；Et：电容的测试电场强度；Ebcp：介质的平均瞬时耐压强度；k1：测试电场强度时的耐压安全系数，≥2；k2：工作场强时的耐压安全系数，1.5～3（2）电极面积（电极直径）其中：D－电极直径(cm)，ε为介电常数，δ为电极之间的间距(cm)电容芯片包括陶瓷盖板（厚）和弹性膜片，均选用96%Al2O3陶瓷材料；电容芯片的上下电极由（Pd-Ag）导体浆料印刷、烧结而成，导电性能优良而且其热膨胀系数低、温度系数小；结构材料、电极材料规律（结构、尺寸、工艺）；03线性：弹性膜片的平整度、传感器输出等工艺因素；02提高分辨率和灵敏度：减小间隙δ、弹性膜片的厚度；01传感器工艺条件与传感器性能间关系电