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非极性与半极性AlN薄膜:溅射生长机制、退火效应及性能优化研究.docx

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非极性与半极性AlN薄膜:溅射生长机制、退火效应及性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

氮化铝(AlN)薄膜作为一种重要的宽禁带半导体材料,凭借其众多优异特性,在现代科技领域中占据着举足轻重的地位。AlN薄膜通常以六方晶系的纤锌矿结构存在,拥有高达6.2eV的宽禁带宽度,这赋予了它出色的耐高温、高压性能,使其能够在极端环境下稳定工作。同时,AlN薄膜具备高的热传导性,良好的电绝缘性质、高的介质击穿强度以及优异的机械强度和化学稳定性等特点,在机械、微电子、光学以及电子元器件、声表面波器件(SAW)制造、高频宽带通信和功率半导体器件等领域展现出了广阔的应用前景。

在微电子领域,

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