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非极性与半极性AlN薄膜：溅射生长机制、退火效应及性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

氮化铝（AlN）薄膜作为一种重要的宽禁带半导体材料，凭借其众多优异特性，在现代科技领域中占据着举足轻重的地位。AlN薄膜通常以六方晶系的纤锌矿结构存在，拥有高达6.2eV的宽禁带宽度，这赋予了它出色的耐高温、高压性能，使其能够在极端环境下稳定工作。同时，AlN薄膜具备高的热传导性，良好的电绝缘性质、高的介质击穿强度以及优异的机械强度和化学稳定性等特点，在机械、微电子、光学以及电子元器件、声表面波器件（SAW）制造、高频宽带通信和功率半导体器件等领域展现出了广阔的应用前景。

在微电子领域，