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第卷第期微电子学,
５４４Vol．５４No．４
年月
２０２４８MicroelectronicsAu．２０２４
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基于选区外延法的单片异质集成/的研究
GaNSi
１１２３３２１
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程骏骥戚翔宇王思亮王鹏黄伟胡强杨洪强
(,;,;,)
１．电子科技大学成都６１１７３１２．成都森未科技有限公司成都６１００９４３．复旦大学上海２００４３３
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摘要将器件与集成电路进行单片异质集成是当前微电子领域的前沿研究方向之一
GaNSi
.
而直接从材料定义系统的选区外延法是其中最具潜力的技术途径针对选区外延法的实施过程
,,
中选区外延的高温过程会严重影响已制集成电路功能的问题提出一种沟道
GaNSiMOSFET
,.
热扩裕量预留技术并通过理论分析和仿真实验验证了该技术的可行性与有效性研究结果克服
,/,,
了选区外延法的固有缺陷能够在实现单片异质集成的同时保障集成电路的功能为
GaNSiSi
单片异质集成/技术的发展提供了有益新思路.
GaNSi
:/;;
关键词GaNSi单片异质集成选区外延热扩裕量预留技术
中图分类号:文献标志码:文章编号:()
TN４０５A１００４Ｇ３３６５２０２４０４Ｇ０５５８Ｇ０６
:/
DOI１０．１３９１１．cnki．１００４Ｇ３３６５．２４０２２６
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