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中文摘要
镓硫族化合物GaM(MS/Se/Te)作为类石墨烯层状材料中的一员，由于其优异
的物理性质及其在光催化、光电等领域中的广泛应用引起了科学家的关注。与三维
GaM(MS/Se/Te)相比，二维GaM(MS/Se/Te)的物理性质更加优异，但也存在一些
不足。元素掺杂可以对材料的电子、磁性和光学等性质起到调控的作用。如将过渡
金属原子替位掺杂到石墨烯中，可以实现对其电子特性的调控，扩大其在自旋电子
器件和光电器件等领域的应用范围。本文采用第一性原理赝势计算方法，对六角晶
系下的块体P63/mm
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