真空溅射镀膜讲义.pptxVIP

真空溅射镀膜;;;;;;存在于负辉区等离子体之中的离子，一旦由于热运动而进入阴极暗区，就会被其中存在的电场加速而飞向阴极。阴极表面的溅射效应，就是由这些离子造成的。此外，这些离子还从阴极表面击出电子，即所谓二次电子。二次电子也受到阴极暗区电场的加速，但飞行方向是飞离阴极。辉光放电之所以能够维时不变，正是依赖于这些二次电子在行程中与气体原子发生碰撞电离，恢而不断产生新的离子和电子，来补充等离子体的损失。;;;;;;总之，对电子施行磁控以后，放电气体的阻抗大幅度下降，于是可以在高真空和低电压的情况下，获得高电流密度。;;;;;;;可以任意增加矩形磁控靶长度，而不必改变磁体的装置方式；工程参数也不会发生大的变化。目前已有长度为4m的矩形磁控靶问世(用于镀制窗玻璃的隔热层)。;;;;;许多化合物是导电材料，其导电率甚至与金属材料相当可以采用直流溅射。这类化合物中，有碳化物(如TaC，TiC，VC，ZrC)硼化物(如MoBTaB)和硅化物(如MoSi2，TaSi2)。这些化合物都是高熔点的脆性材料，只能用粉末冶金工程制成靶材。这种靶材成本很高，再加上磁控溅射的靶材利用率低，靶材又不容易回收，很不经济。所以尽管直流溅射镀制化合物膜的工程简单，但从经济上考虑并不适于工业生产。即使进行小批量生产，也往往受到靶材来源的限制而不易实现。;;;;;;;通常将阳极规定为零电位，于是，等离子体具有正电位。磁控溅射时，等离子体的电位为10V左右。;;;;;;;;突变、化合物、扩散和伪扩散这四种界面层中，前两种的显微组织就不如后两种。突变界面的两侧，是性能完全不同的材料。其弹性模量的差异，会使界面上产生应力集中；其膨胀系数的不同，会产生热应力。这些都易于导致界面早期破裂。而平直的界面更有利于裂纹的传播。化合物界面也有同样的缺点。此外，化合物往往是脆性材料，更容易产生应力集中。扩散和伪扩散界面层中，没有(或者较少)突变，能够减少应力集中和热应力。?得扩散和伪扩散界面层，也是采用基片加热和偏压溅射。

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