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靖芯JXP3N10MRG
STBCHIP100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP3N10MRGusesShieldGateTrenchD
technologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethe
mostefficienthighfrequencyswitchingperformance.
BothconductionandswitchingpowerlossesareG
minimizedduetoanextremelylowcombinationof
RandQ.Thisdeviceisidealforhigh-frequency
DS(ON)g
switchingandsynchronousrectification.S
GENERALFEATURESPINASSIGNMENT
ID=3.2A,VDS=100VSOT23-3L
RDS(ON)(Typ.)=100mΩ@VGS=10V(TOPVIEW)
D
RDS(ON)(Typ.)=130mΩ@VGS=4.5V
3
HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON)
Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent3N10
GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
Excellentpackageforgoodheatdissipation12
GS
APPLICATION
PACKAGE
PWMapplications
LoadswitchSOT23-3L
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP3N10MRG-55°Cto+150°CSOT23-3L
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