宏盛微半导体AP9N20Y.pdf

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AP9N20Y

200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP9N20YissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=200VI9A

DSD

RDS(ON)300mΩ@VGS=10V（Type：230mΩ）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP9N20YTO-251L-3LAP9N20YXXXYYYY4000

AP9N20YTO-251S-3LAP9N20YXXXYYYY4000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

Value

SymbolParameterUnit

TO-251

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)200V

IDContinuousDrainCurrent9A

IDMPulsedDrainCurrent(note1)36A

VGS

该用户很懒，什么也没介绍

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