俄歇电子能谱AES.pptx

俄歇电子能谱;三种最基本的表面分析方法

名称俄歇电子能谱X射线光电子能谱二次离子质谱

AESXPSSIMS

一次束电子X射线离子

检测粒子俄歇电子光电子二次离子

EABC＝EA-EB-ECEk＝hν-Ebm/e

特点定量较好带有化学位移信息检测灵敏度高

分辨率高表面损伤小ppb

缺点轻元素不能分析分辨差表面损伤

（X射线不易聚焦）定量困难

共同点：元素种类分析（成分分析、痕量分析）、表面分析

;

俄歇电子能谱

(AugerElectronSpectroscopy简称AES)

一、简介

二、基本原理

三、定性及定量分析方法

四、俄歇谱仪介绍

五、主要应用

;

;一、简介

当电子束照射到样品表面时，将有带着该样品特征

的Auger电子从样品表面发射。从Auger电子可以得到

如下信息：

发射的Auger电子能量确定元素种类

Auger电子数量元素含量

＋电子束聚焦、偏转和扫描元素面分布

＋离子束溅射刻蚀元素深度分布

AES是一种重要的材料成分分析技术。其最大特点是：

Δ信息来自表面（3-30?）

Δ具有微区分析能力（横向与深度分辨率好）

Δ定量分析较好

;;;Δ辐射跃迁:

一外层电子填充空位后，发射出特征X射线

(例L3上电子填充K能级上空位，发出X射线Kα1)

Δ无辐射过程(即Auger过程)：

一外层电子填充空位，使另一个电子脱离原子发射出去(例L1上电子填充K能级空位，同时L3上的电子发射出去，称KL1L3俄歇跃迁)。

;特点：

Δ第二个电子在弛豫过程中释放的能量，须大于或

至少等于第三个电子的束缚能。

Δ终态为二重电离状态。

ΔH和He只有一个K壳层，最多只有2个电子，无法

产生Auger跃迁。

C-K跃迁(Coster-Kronig跃迁)：

终态空位之一与初态空位处于同一主壳层内

即WiWpYq(pi)

超C-K跃迁：

两终态都与初态空位处于同一主壳层内

即WiWpWq(pi，qi)

C-K跃迁速度快，△t小，由测不准原理(△E)(△t)h，

ΔE大，带来能量的分散，使谱线展宽。

;2.俄歇电子能量

EABC=EA(Z)-EB(Z)-EC(Z)

EA、EB、EC分别为A、B、C能级上电子的结合能，是原子序数为Z的元素的函数，是该种元素原子所特有的，因此EABC也是该种元素特有的。

修正：

EABC=EA(Z)-1/2[EB(Z)+EB(Z+1)]

-1/2[EC(Z)+EC(Z+1)]

相邻原子序数

该能级的能量

;;特点：

Δ一种原子可能产生几组不同能级组合的俄歇跃迁，因而可以有若干不同特征能量的俄歇电子。

Δ可能出现的