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卤化物钙钛矿单晶晶片的可控生长及光电性能研究
一、引言
金属卤化物钙钛矿作为一类新兴的半导体材料,凭借其卓越的光电特性与溶液可制备性,在众多光电子领域展现出巨大的应用潜力。从太阳能电池的高效能量转换,到发光二极管的明亮发光,再到辐射探测领域的精准探测,卤化物钙钛矿材料都备受关注,被视为新能源与环境等领域的新质生产力。
在材料结构的分类中,单晶、多晶与非晶各具特点。传统半导体材料多为单晶结构,而钙钛矿目前主要以多晶形式存在。多晶薄膜虽有一定应用,但存在诸多缺陷,如显著影响器件性能与使用寿命的表界面悬挂键、不饱和键等缺陷。与之相比,钙钛矿单晶晶片犹如璀璨的“非洲之星”,其缺陷密度极低,仅约为多晶
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