半导体二极管的识别、检测和选用.docVIP

教学环节

教学过程及主要内容

半导体材料

半导体二极管由纯度极高的半导体晶体（硅或锗）掺入少量杂质（砷或硼）制成，依照掺入杂质及其所体现出的性能不同分为N型半导体和P型半导体。N型半导体的多数载流子是电子，P型半导体的多数载流子是空穴。

二、二极管的基本结构

把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一个电极，即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基本的半导体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、稳压管和整流管等。

二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图1-1所示,在图1-1(b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。

图1-1

图1-1晶体二极管结构示意图及电路符号

:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管,其结构如图SHAPE1-2所示。

正极

正极

引线

触丝

N型锗片

外壳

（a）点接触型

负极引线

负极引线

（b）面接触型

N型锗

PN结

正极引线

铝合金

小球

底座

金锑

合金

P

P

N

型支持衬底

负极引线

（c）平面型

P

N

P

型支持衬底

正极引线

图1-2二极管的结构

图1-2二极管的结构

点接触型：结面积小，适用于高频检波、脉冲电路及计算机中的开关元件。

面接触型：结面积大，适用于低频整流器件。

三、二极管的基本特性

半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。

若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如图1-3所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）。

图1-3二极管的伏安特性曲线

图1-3二极管的伏安特性曲线

说明：

1)正向特性

二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图中OA(OA′)段。

当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。

二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。

2)反向特性

二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC（OC′）段。

3)反向击穿特性

二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图中CD(C′D′)段。

4)温度对特性的影响

由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。

四、二极管的种类

二极管的种类很多，按材料分有硅、锗、砷化镓等；按结构分有点接触、面接触、平面型等；按用途有检波二极管、整流二极管、开关二极管、稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光敏二极管等。

五、二极管的选用与代换

器件参数是定量描述器件性能质量和安全工作范围的重要数据，是我们合理选择和正确使用器件的依据。参数一般可以从产品手册中查到，也可以通过直接测量得到。下面介绍晶体二极管的主要参数及其意义。

最大正向电流ＩOM

它是二极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于ＩＦ,如超过ＩＦ,二极管将过热而烧毁。此值取决于ＰＮ结的面积、材料和散热情况。

2)最大反向工作电压ＵRM

这是二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时,二极管可能被击穿。为了留有余地,通常取击穿电压的一半作为ＵＲ。

3)反向电流ＩR

指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小,二极管的单向导电性越好。由于反向电流是由少数载流子形成,所以ＩR值受温度的影响很大。

4)最高工作频率ｆM

ｆM的值主要取决于ＰＮ结结电容的大小,结电容越大,则二极管允许的最高工作频率越低。