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摘要
摘要
在后摩尔时代，面对海量信息的高效处理需求，构建神经形态“存算一体化”
架构是克服传统冯·诺依曼瓶颈的有效途径。忆阻器因其兼具电阻和存储性能而被
视为是硬件实现人工神经元网络的核心器件，已成为当前类脑神经形态计算领域
的前沿研究热点。本论文在简要概述了国内外针对硫属化合物突触忆阻器及提升
器件性能与神经形态应用研究现状的基础上，系统总结了作者在攻读硕士学位期
间以“AgBiS2光电突触忆阻器及其神经形态应用研究”
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