《基于混合集成的系统封装工艺规范》.docx

Q/LB.□XXXXX-XXXX

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ICS

FORMTEXT31.200

CCS

FORMTEXTCS

FORMTEXTL58

FORMTEXT中国商品学会团体标准

T/FORMTEXTCSFORMTEXTXXXX—FORMTEXTXXXX

FORMTEXT?????

FORMTEXT基于混合集成的系统封装工艺规范

FORMTEXTSpecificationforhybridintegratedSiPpackagingprocess

FORMDROPDOWN

FORMTEXT?????

FORMDROPDOWN

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

FORMTEXT中国商品学会??发布

STYLEREF标准文件_文件编号T/CSXXXX—XXXX

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基于混合集成的系统封装工艺规范

范围

本文件规定了基于混合集成的系统封装工艺的通则、分类、设计和工艺过程。

本文件适用于基于混合集成的系统封装的工艺编制。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T14113半导体集成电路封装术语

GB/T44801系统级封装(SiP)术语

术语和定义

GB/T44801、GB/T14113界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

混合集成hybridintegrated

由半导体集成电路与膜集成电路任意结合，或由任意这些电路与分立元件结合。

缩略语

下列缩略语适用于本文件。

LTCC：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-firedCeramic）

SiP：系统级封装（SysteminPackage）

TSV：硅通孔（ThroughCeramicVia）

通则

组装前检验

组装前应对芯片实施200倍～400倍的高倍检验，所有元器件应进行批检验和筛选。

关键过程控制

应制订关键工序(键合工序)特殊工序的评价和控制办法。

禁(限)用工艺

不应选用禁(限)用工艺，在现有条件下无替代工艺，不得不采用禁(限)用工艺制造的产品，应采取必要的质量控制措施，确保产品质量。

设计单位因特殊使用环境要求而选用禁(限)用的工艺时，应对选用的禁(限)用工艺所带来的影响能否满足产品功能、性能要求进行分析，并给出明确结论。

在工艺性审查中如发现需采用禁(限)用工艺生产的产品，需与设计单位协商，通过更换材料、调整结构、改变技术要求等尽量避免采用禁(限)用工艺。

已使用禁(限)用工艺的在研在制及已定型(鉴定)的产品，应组织进行研究分析，通过设计单位更改设计，寻找成熟替代工艺等途径逐步减少禁(限)用工艺的使用，相关更改按技术状态更改程序进行实施。

生产单位应在工艺文件中详细规定禁(限)用工艺各项控制措施要求，并在生产中严格落实。

生产单位应加强禁(限)用工艺的治理，制定禁(限)用工艺治理计划，持续开展替代工艺技术研究，逐步减少禁(限)用工艺应用。

设计

产品使用要求

应明确产品的应用场景及可靠性要求：

产品最终形态为元器件还是组件；

是否需要密封结构。

外壳选择

应根据实际需求选择外壳，外壳的选择宜参考表1。

外壳的选择

外壳类型

特点

金属外壳

强度大，可以实现较大尺寸的封装；

通常导热率高，适合功率产品；

通常为标准外壳，引线数量少，引线采用可伐或铜等金属材料，与外壳之间采用玻璃绝缘子或陶瓷绝缘子隔离

陶瓷外壳

HTCC

行业内使用最多的陶瓷外壳，可以进行多层布线，便于产品的小型化；可以方便地自行

设计引出端，封装形式多样化；

一般尺寸较小，高温共烧金属的电导率较低，不利于大电流产品

其他

在预制陶瓷基板上采用金锡焊接密封围框，形成陶瓷外壳

基板布线

应根据基板加工厂家技术能力关注线宽/间距的要求。

对于多层布线，明确通孔尺寸要求，通孔上不进行键合和焊接。

分类

结构

按结构的不同可分为：

平面SiP（2D）；

堆叠芯片SiP（3D）。

互联方式

按互联方式的不同可分为：

引线键合；

倒装芯片；

焊料球；

TSV。

封装平台

按封装平台的不同可分为：

有引线框封装；

LTCC封装；

叠层基板封装；

薄膜基板封装。

工艺过程

堆叠工艺

典型的芯片堆叠方式

根据堆叠芯片种类的不同，芯片堆叠结构按图1分为A类、B类、C类三种典型的叠装方式：

A类：一般用于不同种芯片的叠装，从下至上