项目四逆变电路任务认识全控型电力电子器件知识点电力场效应.pptx

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主讲人：谭香玲;一、电力场效应晶体管的结构;一、电力场效应晶体管的结构;;一、电力场效应晶体管的结构;二、电力场效应晶体管的工作原理;2.导通;三、电力场效应晶体管的基本静态特性;2.输出特性;漏源击穿电压U(BR)DSS

规定了MOS管的电压定额。

漏极连续直流电流ID

在最大导通压降UDs(on)和占空比为100%时，产生的功率损耗使MOS管节点温度上升到最大值150°C?(外壳温度为100°C)时的漏极电流。

可重复漏极电流幅值Ldm

脉冲运行状态下MOS管漏极最大允许峰值电流。

栅源电压UGS

|UGS?|20V将导致绝缘层击穿。;电力场效应晶体管结构特点：

栅源极电压(电场)控制漏极电流。

栅源极之间绝缘，需要的驱动功率小。

开关速度快，工作频率高。

无二次击穿现象。

容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

该用户很懒，什么也没介绍

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