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基于第一性原理：掺杂对二维铁电材料In2Se3的性能影响与机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，二维材料以其独特的原子结构和优异的物理性质，成为了近年来的研究热点。二维铁电材料作为其中的重要分支，由于同时具备铁电性和低维特性，展现出了许多传统材料所不具备的新奇物理现象和潜在应用价值，引发了科学界和产业界的广泛关注。

In2Se3作为一种典型的二维铁电材料，具有诸多引人注目的特性。从晶体结构上看，它属于范德瓦尔斯材料，由层状结构组成，层间通过较弱的范德瓦尔斯力相互作用，这种结构赋予了In2Se3一些独特的物理性质。在电学方面，In2Se3表现出良好的半导体特性，其带