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主讲人:谭香玲;中国在2014年6月成功研制出8寸IGBT专业芯片,打破国际垄断。
目前,国内IGBT供需差距巨大,国产量仅为市场销量的七分之一。;国内的IGBT整个产业链;一、绝缘栅双极型晶体管的工作原理;一、绝缘栅双极型晶体管的结构;IGBT内部结构断面示意图;IGBT简化等效电路;3.导通关断条件;二、绝缘栅双极型晶体管的主要特性;二、绝缘栅双极型晶体管的主要特性;最大集电极电流
集电极最大连续电流为额定电流,表征电流容量。
为避免锁定现象,规定了最大集电极峰值电流ICM。
最大集电极功耗PCM
正常工作温度下允许的最大功耗。
最大栅极电压
|?UGE?|?20V将导致绝缘层击穿。
最大集射极间电压
超过规定值时可能发生击穿。
击穿电压与IGBT本身特性有关,还与外电路接法有关。;1、绝缘栅双极型晶体管的结构。
2、绝缘栅双极型晶体管的工作原理。
3、绝缘栅双极型晶体管的转移特性和输出特性。
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