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**海南風光半導體器件10.1.1本征半導體現代電子學中，用的最多的半導體是矽和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。Si矽原子Ge鍺原子§10.1半導體的基本知識矽和鍺的共價鍵結構共價鍵共用電子對+4+4+4+4+4表示除去價電子後的原子完全純淨的、結構完整的半導體晶體，稱為本征半導體。本征半導體的導電能力很弱。10.1.2雜質半導體在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發生顯著變化。N型半導體（主要載流子為電子，電子半導體）P型半導體（主要載流子為空穴，空穴半導體）N型半導體多餘電子磷原子矽原子+N型矽表示SiPSiSi矽或鍺+少量磷?N型半導體空穴P型半導體硼原子P型矽表示SiSiSiB矽原子空穴被認為帶一個單位的正電荷，並且可以移動矽或鍺+少量硼?P型半導體雜質半導體的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半導體++++++++++++++++++++++++N型半導體10.2.1PN結的形成在同一片半導體基片上，分別製造P型半導體和N型半導體，經過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了PN結。§10.2PN結及半導體二極體P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場E漂移運動空間電荷區PN結處載流子的運動擴散的結果是使空間電荷區逐漸加寬，空間電荷區越寬。漂移運動P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場EPN結處載流子的運動內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區變薄。漂移運動P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內電場EPN結處載流子的運動所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當於兩個區之間沒有電荷運動，空間電荷區的厚度固定不變。10.2.2PN結的單向導電性PN結加上正向電壓、正向偏置的意思都是：P區加正、N區加負電壓。PN結加上反向電壓、反向偏置的意思都是：P區加負、N區加正電壓。PN結正向偏置－－－－++++內電場減弱，使擴散加強，擴散?飄移，正向電流大空間電荷區變薄PN+_正向電流PN結反向偏置－－－－++++空間電荷區變厚NP+_++++－－－－內電場加強，使擴散停止，有少量飄移，反向電流很小反向飽和電流很小，?A級10.2.3半導體二極體(1)、基本結構PN結加上管殼和引線，就成為半導體二極體。PNPN符號陽極陰極(2)、伏安特性UI導通壓降:矽管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓U(BR)死區電壓矽管0.5V,鍺管0.2V。UIE+-反向漏電流（很小，?A級）（3）靜態電阻Rd，動態電阻rDUQIQUS+-R靜態工作點Q（UQ，IQ）（3）靜態電阻Rd，動態電阻rD靜態電阻：Rd=UQ/IQ（非線性）動態電阻：rD=?UQ/?IQ在工作點Q附近，動態電阻近似為線性，故動態電阻又稱為微變等效電阻iuIQUQQ?IQ?UQ例1：二極體：死區電壓=0.5V，正向壓降＝0.7V(矽二極體)理想二極體：死區電壓=0，正向壓降=0RLuiuOuiuott二極體半波整流例2：二極體的應用(設RC時間常數很小）RRLuiuRuotttuiuRuoC§10.3穩壓二極體IZmax穩壓二極體符號UIUZIZ穩壓二極體特性曲線IZmin當穩壓二極體工作在反向擊穿狀態下,當工作電流IZ在Izmax和Izmin之間時,其兩端電壓