半导体器件课件.pptVIP

RLuiuORDZiiziLUZUZW=10Vui=12VR=200?Izmax=12mAIzmin=2mARL=2k?(1.5k?~4k?)iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）i=（ui-UZ）/R=（12-10）/0.2=10（mA）iZ=i-iL=10-5=5（mA）RL=1.5k?,iL=10/1.5=6.7（mA）,iZ=10-6.7=3.3（mA）RL=4k?,iL=10/4=2.5（mA）,iZ=10-2.5=7.5（mA）負載變化,但iZ仍在12mA和2mA之間,所以穩壓管仍能起穩壓作用穩壓二極體考察是否穩壓的標準：Imax~Imin穩壓值§1.4半導體三極管1.4.1基本結構BECNNP基極發射極集電極NPN型PNP集電極基極發射極BCEPNP型BECNPN型三極管BECPNP型三極管三極管符號NPNCBEPNPCBEBECNNP基極發射極集電極基區：較薄，摻雜濃度低集電區：面積較大發射區：摻雜濃度較高發射結集電結BECNNP基極發射極集電極+++++++++++++__________________________+++++++++++++1.4.2電流放大原理BECNNPEBRBEc發射結正偏，發射區電子不斷向基區擴散，形成發射極電流IE。IE1進入P區的電子少部分與基區的空穴複合，形成電流IB，多數擴散到集電結。IBBECNNPEBRBEcIE從基區擴散來的電子漂移進入集電結而被收集，形成IC。IC2ICIB要使三極管能放大電流，必須使發射結正偏，集電結反偏。靜態電流放大倍數靜態電流放大倍數，動態電流放大倍數?=IC/IBIC=?IB動態電流放大倍數IB：IB+?IBIC：IC+?IC?=?IC/?IB一般認為：?=?=?，近似為一常數，?值範圍：20~100?IC=??IB1.4.3特性曲線ICmA?AVVUCEUBERBIBUSCUSB實驗線路(共發射極接法)CBERC***半導體器件1.1.1本征半導體現代電子學中，用的最多的半導體是矽和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。Si矽原子Ge鍺原子§1.1半導體的基本知識通過一定的工藝過程，可以將半導體製成晶體。完全純淨的、結構完整的半導體晶體，稱為本征半導體。在矽和鍺晶體中，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。矽和鍺的共價鍵結構共價鍵共用電子對+4+4+4+4+4表示除去價電子後的原子共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。形成共價鍵後，每個原子的最外層電子是八個，構成穩定結構。共價鍵有很強的結合力，使原子規則排列，形成晶體。+4+4+4+41.1.2雜質半導體在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發生顯著變化。其原因是摻雜半導體的某種載流子濃度大大增加。載流子：電子，空穴N型半導體（主要載流子為電子[-]，電子半導體）P型半導體（主要載流子為空穴[+]，空穴半導體）N型半導體在矽或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相臨的半導體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為施主原子。矽或鍺+少量磷?N型半導體N型半導體多餘電子磷原子矽原子+N型矽表示SiPSiSiP型半導體在矽或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼（或銦），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相臨的半導體原子形成共價鍵時，產生一個空穴。這個空穴可能吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能移動的帶負電的離子。由於硼原子接受電子，所以稱為受主原子。矽或鍺+少量硼?P型半導體空穴P型半導體硼原子P型矽表示SiS