半导体器件课件.pptVIP

2.3.2BJT的電流放大作用1.三極管放大的條件內部條件發射區摻雜濃度高基區薄且摻雜濃度低集電結面積大外部條件發射結正偏集電結反偏2.滿足放大條件的三種電路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共發射極共集電極共基極實現電路:3.三極管內部載流子的傳輸過程1)發射區向基區注入多子電子，形成發射極電流IE。ICN多數向BC結方向擴散形成ICN。IE少數與空穴複合，形成IBN。IBN基區空穴來源基極電源提供(IB)集電區少子漂移(ICBO)ICBOIB即：IB=IBN–ICBO2)電子到達基區後(基區空穴運動因濃度低而忽略)ICNIEIBNICBOIB3)集電區收集擴散過來的載流子形成集電極電流ICICIC=ICN+ICBO4.三極管的電流分配關係定義：其值的大小約為0.9～0.99。(1)IC與IE之間的關係:所以:三個電極上的電流關係:IE=IC+IB(2)共發射極電路的IC與IB之間的關係：聯立以下兩式：得：所以：得：令：(2)共集電極電路的電流分配關係：用IB來表示IE，則可得到共集電極電路的電流分配關係：IE=IC+IB2.3.3晶體三極管的特性曲線一、輸入特性輸入回路輸出回路與二極體特性相似O特性基本重合(電流分配關係確定)特性右移(因集電結開始吸引電子)導通電壓UBE(on)矽管：(0.6?0.8)V鍺管：(0.2?0.4)V取0.7V取0.3V二、輸出特性iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321截止區：IB?0IC=ICEO?0條件：兩個結反偏截止區ICEOiC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843212.放大區：放大區截止區條件：發射結正偏集電結反偏特點：水準、等間隔ICEOiC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843213.飽和區：uCE?uBEuCB=uCE?uBE?0條件：兩個結正偏特點：IC??IB臨界飽和時：uCE=uBE深度飽和時：0.3V(矽管)UCE(SAT)=0.1V(鍺管)放大區截止區飽和區ICEO2.3.4晶體三極管的主要參數一、電流放大係數1.共發射極電流放大係數iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321—直流電流放大係數?—交流電流放大係數一般為幾十?幾百QiC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843212.共基極電流放大係數??1一般在0.98以上。Q二、極間反向飽和電流CB極間反向飽和電流ICBO，CE極間反向飽和電流ICEO。三、極限參數1.ICM—集電極最大允許電流，超過時?值明顯降低。2.PCM—集電極最大允許功率損耗PC=iC?uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作區U(BR)CBO—發射極開路時C、B極間反向擊穿電壓。3.U(BR)CEO—基極開路時C、E