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半導體記憶體7.1概述半導體記憶體是一種能存儲大量二值資訊的半導體器件。按存儲功能分只讀記憶體(ROM)隨機記憶體(RAM)按製造工藝分雙極性MOS型7.2只讀記憶體(ROM)優點:電路結構簡單,斷電後數據不丟失,具有非易失性。缺點:只適用於存儲固定數據的場合。電路結構ReadOnlyMemory只讀記憶體分類:掩膜ROM:出廠後內部存儲的數據不能改動,只能讀出。PROM:可編程,只能寫一次。EPROM:用紫外線擦除,擦除和編程時間較慢,次數也不宜多。E2PROM:電信號擦除,擦除和寫入時需要加高電壓脈衝,擦、寫時間仍較長。快閃記憶體(FlashMemory):吸收了EPROM結構簡單,編程可靠的優點,又保留了E2PROM用隧道效應擦除的快捷特性,集成度可作得很高。7.3隨機記憶體(RAM)優點:讀、寫方便,使用靈活。缺點:一旦停電所存儲的數據將隨之丟失(易失性)。基本結構:地址解碼器、存儲矩陣和讀\寫控制電路構成。RandomAccessMemory...P368圖7.3.27.4存儲容量的擴展字線位線存儲容量=字數×位數存儲容量=22×4=4×4地址輸入端數據輸出端位擴展8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。字擴展4片256×8位的RAM接成1024×8位的RAM。7.5用記憶體實現組合邏輯函數例7.5.2試用ROM產生如下一組多輸出邏輯函數解:化為最小項之和的形式:
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