半导体存储器课件.pptVIP

半導體記憶體記憶體——用以存儲二進位資訊的器件。半導體記憶體的分類：根據使用功能的不同，半導體記憶體可分為兩大類：（1）隨機存取記憶體（RAM）也叫做讀/寫記憶體。既能方便地讀出所存數據，又能隨時寫入新的數據。RAM的缺點是數據易失，即一旦掉電，所存的數據全部丟失。（2）只讀記憶體（ROM）。其內容只能讀出不能寫入。存儲的數據不會因斷電而消失，即具有非易失性。記憶體的容量：記憶體的容量=字長（n）×字數（m）記憶體的基本概念一．RAM的基本結構由存儲矩陣、地址解碼器、讀寫控制器、輸入/輸出控制、片選控制等幾部分組成。7.1隨機存取記憶體（RAM）1.存儲矩陣圖中，1024個字排列成32×32的矩陣。為了存取方便，給它們編上號。32行編號為X0、X1、…、X31，32列編號為Y0、Y1、…、Y31。這樣每一個存儲單元都有了一個固定的編號，稱為地址。2．地址解碼器——將寄存器地址對應的二進位數譯成有效的行選信號和列選信號，從而選中該存儲單元。例如，輸入地址碼A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001，則行選線X1＝1、列選線Y0＝1，選中第X1行第Y0列的那個存儲單元。採用雙解碼結構。行地址解碼器：5輸入32輸出，輸入為A0、A1、…、A4，輸出為X0、X1、…、X31；列地址解碼器：5輸入32輸出，輸入為A5、A6、…、A9，輸出為Y0、Y1、…、Y31，這樣共有10條地址線。3．RAM的存儲單元例：六管NMOS靜態存儲單元存儲單元（1）寫入過程：例如寫入“1”（2）讀出過程：例如讀出“1”T1、T2為NMOS非門，T3、T4也為NMOS非門，兩個非門交叉連接組成基本觸發器存儲數據。T5、T6為門控管。T7、T8是每一列共用的門控管。11000101104.片選及輸入/輸出控制電路當選片信號CS＝1時，G5、G4輸出為0，三態門G1、G2、G3均處於高阻狀態，I/O端與記憶體內部完全隔離，記憶體禁止讀/寫操作，即不工作。當CS＝0時，晶片被選通：當R/W＝1時，G5輸出高電平，G3被打開，被選中的單元所存儲的數據出現在I/O端，記憶體執行讀操作；當R/W＝0時，G4輸出高電平，G1、G2被打開，此時加在I/O端的數據以互補的形式出現在內部數據線上，記憶體執行寫操作。二.RAM的工作時序（以寫入過程為例）寫入操作過程如下：（1）欲寫入單元的地址加到記憶體的地址輸入端；（2）加入有效的選片信號CS；（3）將待寫入的數據加到數據輸入端。（3）在R/W線上加低電平，進入寫工作狀態；（4）讓選片信號CS無效，I/O端呈高阻態。三．RAM的容量擴展1．位擴展用8片1024（1K）×1位RAM構成的1024×8位RAM系統。2．字擴展例：用8片1K×8位RAM構成的8K×8位RAM。四、RAM晶片簡介(6116)6116為2K×8位的靜態CMOSRAM100CS片選×0×OE輸出使能×10WE讀/寫控制×穩定穩定A0～A10地址碼輸入高阻態輸出輸入D0～D7輸出工作模式低功耗維持讀寫6116的功能表A0～A10是地址碼輸入端，D0～D7是數據輸出端，CS是選片端，OE是輸出使能端，WE是讀寫控制端。（2）一次性可編程ROM（PROM）。出廠時，存儲內容全為1（或全為0），用戶可根據自己的需要編程，但只能編程一次。7.2只讀記憶體(ROM)一．ROM的分類按照數據寫入方式特點不同，ROM可分為以下幾種：（1）固定ROM。廠家把數據寫入記憶體中，用戶無法進行任何修改。（3）光可擦除可編程ROM（EPROM）。採用浮柵技術生產的可編程記憶體。其內容可通過紫外線照射而被擦除，可多次編程。（5）快閃記憶體（FlashMemory）。也是採用浮柵型MOS管，記憶體中數據的擦除和寫入是分開進行的，數據寫入方式與EPROM相同，一般一只晶片可以擦除/寫入100萬次以上。（4）電可擦除可編程ROM（E2PROM）。也是採用浮柵技術生產的可編程ROM，但是構成其存儲單元的是隧道MOS管，是用電擦除，並且擦除的速度要快的多（一般為毫秒數量級）。E2PROM的電擦除過程就是改寫過程，它具有ROM的非易失性，又具備類似RAM的功能，可以隨時改寫（可重複擦寫1萬次以上）。二．R