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1.正向特性?二極體兩端加正向電壓時,就產生正向電流,當正向電壓較小時,正向電流極小（幾乎為零）,這一部分稱為死區,相應的A(A′)點的電壓稱為死區電壓或門檻電壓(也稱閾值電壓),矽管約為0.5V,鍺管約為0.1V,如圖2.3.2和2.3.3中OA(OA′)段。當正向電壓超過門檻電壓時,正向電流就會急劇地增大,二極體呈現很小電阻而處於導通狀態。這時矽管的正嚮導通壓降約為0.6~0.7V,鍺管約為0.2~0.3V,如圖2.3.2和2.3.3中AB(A′B′)段。二極體正嚮導通時,要特別注意它的正向電流不能超過最大值,否則將燒壞PN結。2.反向特性二極體兩端加上反向電壓時,在開始很大範圍內,二極體相當於非常大的電阻,反向電流很小,且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR,見圖2.3.2和2.3.3.中OC（OC′）段。3.反向擊穿特性二極體反向電壓加到一定數值時,反向電流急劇增大,這種現象稱為反向擊穿。此時對應的電壓稱為反向擊穿電壓,用UBR表示,如圖2.3.2和2.3.3中CD(C′D′)段。2.3.3二極體的參數?1.最大整流電流IF2.反向擊穿電壓VBR3.反向(飽和)電流IR4.極間電容(瞭解)(1)勢壘電容CB(2)擴散電容CD附:半導體二極體的命名方法?1.半導體器件的型號由五個部分組成如圖所示。其型號組成部分的符號及其意義見附錄一。如2AP9,“2”表示電極數為2,“A”表示N型鍺材料,“P”表示普通管,“9”表示序號。2.型號組成部分的符號及其意義圖半導體器件的型號組成二極體的簡易測試(復習思考題2.3.2)將萬用表置於R×100或R×1k(Ω)擋（R×1擋電流太大,用R×10k(Ω)擋電壓太高,都易損壞管子）。如下圖所示,萬用表簡易測試二極體示意圖(a)電阻小；(b)電阻大二極體使用注意事項?(1)二極體應按照用途、參數及使用環境選擇。?(2)使用二極體時,正、負極不可接反。通過二極體的電流,承受的反向電壓及環境溫度等都不應超過手冊中所規定的極限值。(3)更換二極體時,應用同類型或高一級的代替。(4)二極體的引線彎曲處距離外殼端面應不小於2mm,以免造成引線折斷或外殼破裂。
2.4二極體基本電路及其分析方法
2.4.1二極體正向V-I特性的建模
1.理想模型
2.恒壓降模型
3.折線模型
4.小信號模型圖1―13二極體特性曲線折線近似圖1―14二極體半波整流電路(a)電路；(b)輸出波形圖1―15二極體門電路圖1―16二極體限幅電路(a)電路;(b)波形圖1―20示出了穩壓管穩壓電路,圖中穩壓管VZ並接在負載RL兩端。由圖可知(1―22)圖1―20穩壓管穩壓電路圖1―21光電二極體的符號及特性(a)符號;(b)光譜特性；(c)光照特性2.4.2模型分析法應用舉例
1.二極體電路的靜態工作情況分析例2.4.1圖2.4.5(a)簡單二極體電路(b)習慣畫法半導體二極體及其應用電路
2.1半導體的基本知識
2.1.1半導體材料
自然界中的各種物質,按導電能力劃分為:導體、絕緣體、半導體。半導體導電能力介於導體和絕緣體之間。它具有熱敏性、光敏性和摻雜性。利用光敏性可製成光電二極體和光電三極管及光敏電阻;利用熱敏性可製成各種熱敏電阻;利用摻雜性可製成各種不同性能、不同用途的半導體器件,例如二極體、三極管、場效應管等.
常用的半導體材料有:元素半導體:矽(Si)
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