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模拟电子技术试题及参考答案
一、单选题(共103题,每题1分,共103分)
1.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()
A、错
B、对:
正确答案:A
2.N型半导体中的多数载流子是()
A、自由电子
B、负离子
C、空穴
D、正离子
正确答案:A
3.共射组态的放大电路,如果输出波形出现下削波,一定发生了截止失真。
A、错误
B、正确;
正确答案:A
4.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。()
A、错
B、对:
正确答案:A
5.本征半导体中掺入五价杂质元素后,生成N型半导体,其多子是自由电子载流子。()
A、对:
B、错
正确答案:A
6.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()
A、正确;
B、错误
正确答案:B
7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。
A、截止
B、频率
C、饱和
D、交越
正确答案:A
8.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。()
A、对:
B、错
正确答案:B
9.P型半导体是在本征半导体中掺入微量的()价杂质元素构成的。
A、六价
B、三价
C、四价
D、五价
正确答案:B
10.二极管只要发生击穿现象,一定会造成二极管的永久性损坏。()
A、错
B、对:
正确答案:A
11.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。()
A、正确;
B、错误
正确答案:B
12.P型半导体中的多数载流子是()
A、正离子
B、空穴
C、自由电子
D、负离子
正确答案:B
13.集成运放不但能处理交流信号,也能处理直流信号。()
A、错
B、对:
正确答案:B
14.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时,运放处于()
A、深度负反馈
B、正反馈
C、负反馈
D、自激振荡
正确答案:D
15.N型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。
A、三价;
B、四价;
C、六价。
D、五价;
正确答案:D
16.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。
A、自由电子;
B、空穴;
C、电子和空穴;
D、负离子
正确答案:B
17.双极三极管是一种()
A、电流控制的电流源
B、电流控制的电压源
C、电压控制的电压源
D、电压控制的电流源
正确答案:A
18.晶体三极管各种组态的放大电路,输入、输出均为反相关系。()
A、错
B、对:
正确答案:A
19.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路,则电路中晶体三极管处于()。
A、截止状态;
B、饱和状态;
C、放大状态。
正确答案:B
20.射极输出器的特点是()
A、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大
B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小
C、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大
D、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大
正确答案:D
21.本征半导体中掺入五价杂质元素,会生成P型半导体,其多子是空穴载流子。
A、错误
B、正确;
正确答案:A
22.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。
A、放大区;
B、饱和区;
C、截止区;
D、反向击穿区。
正确答案:A
23.晶体三极管的B极是它的()。
A、基极
B、集电极
C、发射极
D、栅极
正确答案:A
24.PN结两端加正向偏置电压时,其正向电流是由()而成。
A、少子扩散
B、少子漂移
C、多子扩散
D、多子漂移
正确答案:C
25.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()
A、错误
B、正确;
正确答案:B
26.分压式偏置的共射放大电路,若VB点电位偏高,电路易出现()。
A、截止失真
B、饱和失真
C、交越失真
D、不会失真
正确答案:B
27.理想集成运放的两个重要结论是()。
A、虚短与虚地;
B、虚断与虚短;
C、断路与短路。
正确答案:B
28.共发射极放大电路的反馈元件是()。
A、电阻RB;
B、电阻RE;
C、电阻RC。
正确答案:B
29.晶体三极管的输出特性曲线上可分为()
A、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区
B、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区
C、放大区、饱和区和截止区三个分区
D、恒流区、放大区和截止区三个分区
正确答案:C
30.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。
A、电子;
B、电子和空穴。
C、空穴;
正确答案:A
31.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。
A、
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