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模拟电子技术试题及参考答案.docx

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模拟电子技术试题及参考答案

一、单选题(共103题,每题1分,共103分)

1.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()

A、错

B、对:

正确答案:A

2.N型半导体中的多数载流子是()

A、自由电子

B、负离子

C、空穴

D、正离子

正确答案:A

3.共射组态的放大电路,如果输出波形出现下削波,一定发生了截止失真。

A、错误

B、正确;

正确答案:A

4.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。()

A、错

B、对:

正确答案:A

5.本征半导体中掺入五价杂质元素后,生成N型半导体,其多子是自由电子载流子。()

A、对:

B、错

正确答案:A

6.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()

A、正确;

B、错误

正确答案:B

7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。

A、截止

B、频率

C、饱和

D、交越

正确答案:A

8.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。()

A、对:

B、错

正确答案:B

9.P型半导体是在本征半导体中掺入微量的()价杂质元素构成的。

A、六价

B、三价

C、四价

D、五价

正确答案:B

10.二极管只要发生击穿现象,一定会造成二极管的永久性损坏。()

A、错

B、对:

正确答案:A

11.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。()

A、正确;

B、错误

正确答案:B

12.P型半导体中的多数载流子是()

A、正离子

B、空穴

C、自由电子

D、负离子

正确答案:B

13.集成运放不但能处理交流信号,也能处理直流信号。()

A、错

B、对:

正确答案:B

14.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时,运放处于()

A、深度负反馈

B、正反馈

C、负反馈

D、自激振荡

正确答案:D

15.N型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。

A、三价;

B、四价;

C、六价。

D、五价;

正确答案:D

16.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。

A、自由电子;

B、空穴;

C、电子和空穴;

D、负离子

正确答案:B

17.双极三极管是一种()

A、电流控制的电流源

B、电流控制的电压源

C、电压控制的电压源

D、电压控制的电流源

正确答案:A

18.晶体三极管各种组态的放大电路,输入、输出均为反相关系。()

A、错

B、对:

正确答案:A

19.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路,则电路中晶体三极管处于()。

A、截止状态;

B、饱和状态;

C、放大状态。

正确答案:B

20.射极输出器的特点是()

A、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大

B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小

C、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大

D、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大

正确答案:D

21.本征半导体中掺入五价杂质元素,会生成P型半导体,其多子是空穴载流子。

A、错误

B、正确;

正确答案:A

22.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。

A、放大区;

B、饱和区;

C、截止区;

D、反向击穿区。

正确答案:A

23.晶体三极管的B极是它的()。

A、基极

B、集电极

C、发射极

D、栅极

正确答案:A

24.PN结两端加正向偏置电压时,其正向电流是由()而成。

A、少子扩散

B、少子漂移

C、多子扩散

D、多子漂移

正确答案:C

25.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()

A、错误

B、正确;

正确答案:B

26.分压式偏置的共射放大电路,若VB点电位偏高,电路易出现()。

A、截止失真

B、饱和失真

C、交越失真

D、不会失真

正确答案:B

27.理想集成运放的两个重要结论是()。

A、虚短与虚地;

B、虚断与虚短;

C、断路与短路。

正确答案:B

28.共发射极放大电路的反馈元件是()。

A、电阻RB;

B、电阻RE;

C、电阻RC。

正确答案:B

29.晶体三极管的输出特性曲线上可分为()

A、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区

B、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区

C、放大区、饱和区和截止区三个分区

D、恒流区、放大区和截止区三个分区

正确答案:C

30.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。

A、电子;

B、电子和空穴。

C、空穴;

正确答案:A

31.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。

A、

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