微机原理与接口技术第3章.pptVIP

01020304用加电方法，进行在线（无需拔下，直接在电路中）擦写（擦除和编程一次完成）有字节擦写、块擦写和整片擦写方法并行EEPROM：多位同时进行串行EEPROM：只有一位数据线补充：EEPROMEEPROM芯片2817A存储容量为2K×828个引脚：11根地址线A10～A08根数据线I/O7～I/O0片选CE*读写OE*、WE*状态输出RDY/BUSY*功能NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GNDVccWE*NCA8A9NCOE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O312345678910111213142827262524232221201918171615第三章存储器教学重点半导体存储器的组成芯片SRAM6264芯片EPROM2764SRAM、EPROM与CPU的连接现代计算机将编好的程序和需要处理的数据事先存放在存储器中，这样计算机可以脱离人的干预而自动运行。在计算机系统中，输入设备在CPU的控制下将程序和数据送入存储器，CPU从存储器中提取程序，按程序的指令控制计算机的运行，对存储器中的数据进行相应的处理，最后输出设备在CPU的控制下将存储器中的结果送出打印显示。12一、存储器的基本概念3.1概述二、存储器的性能指标1、存储容量存储容量就是存储器所能容纳的二进制信息的数量。如果计算机的存储器由多块存储器芯片组成，则存储容量即为各芯片存储容量之和。存储容量的常用单位还有字节（Byte），千字节（KB）、兆字节（MB）、和吉字节（GB）。1KB=210B=1024B1MB=1024KB=1048576B=220B1GB=1024MB=1048576KB=1073741824B=230B存储器的速度常用读/写时间、读写/周期和存取速度等指标来衡量。读/写时间是指从存储器接到读（或写）的命令到完成读（或写）操作所用的时间，也称为存储器存取时间，用TA表示。目前大多数计算机在TA在纳秒（ns）到几十纳秒数量级。读/写周期是指存储器完成一次完整的存取操作所需的时间，即存储器进行两次独立的操作（读或写）所需的时间间隔，也称存储周期，用TM表示。通常TM比TA稍大，原因是存储器在进行读写操作之间需要稳定时间，而有些存储器需要刷新时间。2、存取速度存取速度是指每秒从存储器读写信息的数量，用BM表示，设W为存储器传送的数据宽度（位或字节），则BM=W/TA，单位为位/秒或字节/秒。存取速度（续）1存储器的分类2存储器3主存储器4外存储器5主存储器，简称主存，（也叫内存），可以被CPU直接访问，以较快的速度进行读写操作，主要用来存放计算机当前运行所需的程序和数据。6外存储器，简称外存，（也叫辅存），其工作速度较低，不能直接与CPU进行数据交换，只有先将程序和数据送入内存，才能被CPU处理。§3.2半导体存储器的工作原理除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法CPUCACHE主存（内存）辅存（外存）按制造工艺双极型：速度快、集成度低、功耗大MOS型：速度慢、集成度高、功耗低按使用属性随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失详细分类，请看图示一、半导体存储器的分类图半导体存储器的分类半导体存储器只读存储器（ROM）随机存取存储器（RAM）静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM）集成RAM掩膜式ROM一次性可编程ROM（PROM）紫外线擦除可编程ROM（EPROM）电擦除可编程ROM（EEPROM）详细展开，注意对比1、读写存储器RAM组成单元速度集成度应用SRAM触发器快低小容量系统DRAM极间电容慢高大容量系统集成RAM带刷新电路较快高大容量掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改1PROM：允许一次编程，此后不可更改2EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程3EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写4FlashMemory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除52、只读存储器ROM二、半导体存储器的组成地址寄存地址译码存储体控制电路A