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电子基础腿踏实地；异想天开….兢兢业业，踏踏实实!学会发现问题，面对问题，了解问题，解决问题。1、半导体和PN结根据物体导电能力（电阻率）的不同，来区分导体、绝缘体和半导体；导体：电阻率小于10－4次方，比如金Au、银Ag、铜Cu、铁Fe等绝缘体：电阻率大于10＋9次方，比如玻璃、橡胶、塑料等半导体：介于两者之间，比如硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs等是良好的导体；（电阻率：是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示；单位为欧姆*毫米平方/米。R=ρ*L/S）半导体特性：1、热敏性2、光敏性3、掺杂性概念：1、本征半导体、杂质半导体；2、多数载流子、少数载流子；3、N型半导体（掺杂5价磷P元素）、P型半导体（掺杂3价硼B元素）；PN结形成原理：浓度差－－》多子扩散－－》掺杂离子形成空间电荷区－－》内电场－－》阻止多子扩散，促使少子漂移－－》动态平衡，所以PN实际是电荷区，又叫耗尽层特点：1、单向导电性2、光热敏V/I曲线：导通、击穿、结电容2、半导体二极管1、点接触型PN结面积小，结电容小，适合检波、变频等高频电路结构：2、面接触型PN结面积大，适合工频大电流整流电路；3、平面型PN结面积可大可小，用于集成电路制造工艺中，多用于开关和高频整流电路；伏安曲线：半导体二极管实物图特性参数：1、最大整流电流Rf；2、反向击穿电压VBR和反向电流Ir/反相饱和电流Is；3、导通电压Vf，或正向压降。一般硅管0.7V,锗管0.2V；4、极间电容或最高工作频率；3、特殊半导体二极管2、变容二极管3、光电子器件（光电二极管、发光二极管LED、激光二极管等）1、稳压二极管A：稳压原理稳压原理：利用二极管反向特性实现稳压。稳压状态，二极管工作在反向击穿区，同时说明电击穿是可逆的（齐纳击穿、雪崩击穿），而热击穿是不可逆的。B：特性参数1、稳定电压Vz。2、动态电阻Rz=?Vz/?Iz3、最大耗散功率Pzm＝Vz×Iz4、最大稳定工作电流Izmax和最小稳定工作电流Izmin5、稳定电压的温度系数C：典型应用电路和参数设计稳压条件：满足下列不等式，并注意功耗不能超过Pzm需要设计一个6V的稳压电路，已知：Vi＝12V,Vz=6V,Imax＝20mA,Imin＝2mA问：R=?合适4、二极管在整流电路中的应用半波整流电路：全波整流电路：桥式整流电路：5、思考题练习1：请分析右图的D1,D2导通情况VA输出电压是多少？假设二极管导通管压降为0.7V练习2：请分析右图电路的工作原理，假设U1=220V,变压器匝比50：1，Uo＝？6、半导体三极管的工作原理实物和内部结构工作条件和电流分配发射区高掺杂，集电区低掺杂，面积大，基区很薄，最低掺杂。放大条件：发射结正偏集电结反偏7、三极管的输入输出特性曲线8、三极管的主要参数饱和失真截止失真9、三极管电路分析－－图解法10、三极管小信号等效电路H参数小信号模型目的：简化分析，使非线型简化为线性分析，等效成流控电流源。使用范围：小信号。11、三极管放大电路的主要技术参数1、放大倍数或放大增益反映放大电路在输入信号控制下，把供电电源能量转化为输出信号能量的能力。放大倍数：Av=Vo/Vi放大倍数：Avo=Vo/Vi（负载开路）放大增益：Av＝20Lg（Vo/Vi）dB问：放大0倍和0dB,那个大？2、输入电阻Ri＝Vi/Ii3、输出电阻Ro＝Vt/ItVs＝0的时候还有温度特性和频率特性比如温漂、零漂、带宽、频响等传递效率问题：真正到达负载上的电压=Vs×（Ri/（Rs＋Ri））×Avo×（RL/（Ro＋RL））所以，Ri越大越好，Ro越小越好，同时可以看出，RL的变化是影响整个电路最终的放大效果的三极管放大电路分析－－小信号等效电路法H参数小信号模型分析最后结论：问：请推算以上结论是怎么得到的？13、放大电路工作点稳定问题温度增加，会造成Ic上升，导致工作点漂移，造成放大参数不稳定。稳定原理：T升高－－》Ic增大－－》Ie增大－－》Ve增大，Vb基本不变－－》Vbe减小－－》Ib减小－－》Ic减小，Re取值越大，稳定能力越强B点电位基本不变条件：I1Ib，一般5～10倍，此时Vb约等于Rb2/（Rb1＋Rb2）*Vcc14、三组态性能比较15、多级放大器多级放大器级间耦合：1、直接耦合优点：频带宽，适合集成电路工艺缺点：工作点关联2、阻