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双极型功率晶体管(BJT)1.功率管的选择(1)PCM≥0.2Pom(2)|U(BR)CEO|2VCC(3)ICM>VCC/RC9.3功率器件与散热极限参数应满足(在互补推挽功率放大电路中)2.二次击穿的影响iCuCE0BA二次击穿一次击穿S/B曲线二次击穿现象二次击穿临界曲线iCuCE0功率MOSFET1.V型NMOS管的结构结构剖面图S源极G栅极金属源极SiO2沟道沟道外延层衬底D漏极_N+PPNN+N+01开关速度高02驱动电流小03过载能力强04易于并联2.V型NMOS管的主要特点绝缘栅双极型晶体管(IGBT)IGBT等效电路DT1GSRT2IGBT电路符号GSDT绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点:(1)输入阻抗高(2)工作速度快(3)通态电阻低(4)阻断电阻高(5)承受电流大兼顾了MOSFET和BJT的优点,成为当前功率半导体器件发展的重要方向。功率器件的散热外壳c集电结j散热器sR(th)jcR(th)csR(th)sa环境a晶体管的散热示意图导电回路(电路)散热回路(热路)参量符号单位参量符号单位电压UV温差ΔToC电流IA最大允许功耗PCMW电阻RΩ热阻RToC/W功率器件的散热分析方法:即用电路来模拟功率器件的散热回路导电回路和散热回路参数对照表电-热模拟法Tj——集电结的结温Tc——功率管的壳温Ts——散热器温度Ta——环境温度Rjc——集电结到管壳的热阻Rcs——管壳至散热片的热阻Rsa——散热片至环境的热阻散热等效热路TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM散热回路的总热阻为最大允许功耗TajCMRTTP-=TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM练习题例1乙类互补推挽功放电路如图所示。已知ui为正弦电压,RL=8W,要求最大输出功率为16W。假设功率管T1和T2特性对称,管子的饱和压降UCES=0。试求:(1)正、负电源VCC的最小值;(2)当输出功率最大时,电源供给的功率;(3)当输出功率最大时的输入电压的有效值。T1T2RL+VCCVCC__+uOui上页下页退出模拟电子技术基础上页下页退出模拟电子技术基础9.1功率放大电路的特点及分类1.特点(1)要有尽可能大的输出功率(2)效率要高(3)非线性失真要小(4)要加装散热和保护装置(5)要用图解法分析9功率放大电路2.工作状态分类(1)甲类放大电路根据晶体管的静态工作点的位置不同分:b.能量转换效率低特点:c.放大管的导通角θ=2π静态工作点位置iC1ICQωt?=2?02??集电极电流波形大a.静态功耗uCEiC0QA(2)乙类放大电路b.能量转换效率高c.输出失真大特点:d.放大管的导通角θ=πωtiC2π2π?=π03π集电极电流波形a.静态功耗静态工作点位置uCEiC0QA(3)甲乙类放大电路a.静态功耗较小b.能量转换效率较高c.输出失真较大特点:d.放大管的导通角πθ2πωtiC3π2π03πICQπ?2π集电极电流波形静态工作点位置uCEiC0QA功率放大器的作用是什么?对它有那些要求?它与电压放大电路有那些区别?01试说明甲类、乙类、甲乙类功率放大器的区别?02思考题9.2互补推挽功率放大电路电路特点:(1)晶体管T1、T2特性对称(2)电源对称(3)T1、T2射极输出乙类互补推挽功率放大电路RLT1ui+_+VCC_iC1iC2iOT2VCCuO+_1.工作原理a.当ui=0时设ui=Uimsin?tT1、T2截止UA=0uO=0静态功耗为零RLT1ui+_+VCC_iC1iC2iOT2VCCuO+_Ab.ui0时T1导通T2截止输入信号输出信号电流方向uO≈ui+RL
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