《纳米电子器件》课件.pptVIP

*************************************分子导线分子导线是连接电子器件各功能部分的基本元件，通常由具有共轭π电子系统的有机分子构成，如寡聚苯、寡聚噻吩或寡聚乙炔等。分子导线的电荷传输机制主要包括隧穿机制和热激活跃迁机制，短分子链主要表现为隧穿特性，长分子链则可能呈现类似半导体的热激活传导特性。分子导线的制备方法主要包括扫描隧道显微镜（STM）技术、断裂结技术和微纳米电极技术。STM技术通过控制探针与基底之间的分子来测量单分子电导；断裂结技术通过机械拉伸使金属线断裂形成纳米间隙，再桥接上目标分子；微纳米电极技术则通过微加工制备纳米尺度的电极间隙，然后通过自组装或其他方法引入分子。这些技术的发展使得单分子电学性质的研究和调控成为可能。分子整流器电压(V)电流(nA)分子整流器是一种具有非对称电流-电压特性的分子电子器件，能够使电流主要沿一个方向流动，实现类似半导体二极管的整流功能。典型的分子整流器结构由电子给体和电子受体通过σ键相连组成，形成D-σ-A结构。这种结构使分子的最高占据轨道(HOMO)和最低未占据轨道(LUMO)在空间上分离，导致电子从一个方向流动比从另一个方向流动更容易。分子整流器的性能通常用整流比来评估，即正向电流与相同电压下反向电流的比值。高性能的分子整流器可以达到100以上的整流比。影响分子整流器性能的因素包括分子结构、电极材料、分子-电极界面以及环境条件等。研究人员通过优化这些因素，不断提高分子整流器的性能和稳定性，为未来构建复杂的分子电路奠定基础。分子存储器构象变化型利用分子在不同构象状态下电导率的差异存储信息，如偶氮苯分子在紫外光和可见光照射下可在顺式和反式构象间切换，表现出不同的电导率。这类存储器可通过光、电或化学方式进行写入和擦除操作。氧化还原型基于分子氧化还原状态的变化存储信息，如金属卟啉和金属酞菁等分子在不同氧化态下表现出不同的电子结构和电学性质。这类存储器通常通过电化学方法进行写入和读取操作。电荷捕获型利用分子对电荷的捕获和释放过程存储信息，如富勒烯衍生物可以捕获多个电子，形成带不同电荷的状态。电荷状态的变化会影响分子的电学性质，可用于表示不同的逻辑状态。分子存储器利用单个分子或分子组装体的可逆物理或化学变化存储信息，具有尺寸极小、密度极高和能耗极低的潜在优势。理论上，以单个分子作为存储单元，存储密度可达101?bits/cm2，远超当前商用存储技术。分子存储器的发展前景十分广阔，但仍面临几个关键挑战：一是分子状态的长期稳定性和可靠性；二是分子与外部电路的有效连接和信号读取；三是大规模分子阵列的制备和寻址。随着自组装技术、纳米制造和单分子表征技术的进步，这些挑战有望逐步克服，推动分子存储器向实用化方向发展。第八章：自旋电子学自旋电子学基础自旋电子学是研究电子自旋在固体中的传输、存储和操控的学科，利用电子自旋这一固有的量子属性作为信息载体。与传统电子学主要利用电子电荷不同，自旋电子学同时利用电子的电荷和自旋，开辟了电子学的全新研究领域。电子自旋是一种内禀的量子力学属性，具有上自旋(↑)和下自旋(↓)两种状态。在非磁性材料中，上下自旋电子数量相等；而在铁磁性材料中，上下自旋电子数量不等，形成净磁矩，这是自旋电子学的物理基础。巨磁阻效应巨磁阻效应(GMR)是自旋电子学的重要物理现象，于1988年由AlbertFert和PeterGrünberg分别独立发现，他们因此共享2007年诺贝尔物理学奖。GMR效应出现在由铁磁层和非磁性层交替组成的多层膜结构中。当相邻铁磁层的磁化方向平行时，系统电阻较小；当磁化方向反平行时，电阻较大。这种电阻变化源于自旋相关散射：具有与层磁化方向相同自旋的电子散射概率小，相反自旋的电子散射概率大。GMR效应的发现极大推动了磁存储技术的发展，使硬盘存储容量实现了跨越式增长。自旋阀器件多层膜结构典型结构包括自由磁层/非磁隔离层/固定磁层，自由层磁化方向可随外磁场变化，固定层保持固定方向自旋过滤机制铁磁层对电子起自旋过滤作用，导致自旋极化电流，实现自旋方向控制的电流传输磁电阻效应自由层与固定层磁化方向平行时电阻小，反平行时电阻大，形成低阻态和高阻态4广泛应用硬盘读取头、磁传感器、磁随机访问存储器等领域实现商业化应用自旋阀器件的工作机理建立在自旋依赖散射的基础上。当电子流经铁磁层时，其自旋方向与层磁化方向一致的电子（多数自旋）散射几率小，传导能力强；自旋方向与层磁化方向相反的电子（少数自旋）散射几率大，传导能力弱。当两个铁磁层磁化方向平行时，多数自旋电子在两层中都能顺利通过，形成低阻态；当磁化方向反平行时，