功率半导体行业报告：IGBT供需结构改善，碳化硅加速上车.docxVIP

目 录

总体观点 4

IGBT行业迎来改善，SiC加速上车 6

产能端：中国IGBT自给率提升，碳化硅产能加速带动价格下滑 9

需求端：中低端车型提振IGBT需求，800V平台渗透提升带动SiC加速上车 12

竞争格局：海外大厂占据市场主导，中国厂商份额持续提升 15

建议关注 17

风险提示 18

图表目录

图1：功率器件应用场景 6

图2：功率半导体分类 6

图3：功率半导体产业链 6

图4：全球功率器件销售额（百万美元） 7

图5：中国功率器件销售额（百万美元） 7

图6：全球IGBT产值（亿美元） 7

图7：全球IGBT下游应用占比 7

图8：IGBT单价和销量波动 8

图9：全球SiC市场规模 8

图10：中国IGBT产量及自给率（万只） 9

图11：SiC晶圆及器件产能扩张 10

图12：1200V/40mΩ碳化硅价格走势 10

图13：2022年和2024年中国碳化硅衬底产能 10

图14：碳化硅外延片及衬底的平均售价（千元/片） 10

图15：全球新能源汽车销量（万辆） 13

图16：中国新能源汽车销量（万辆） 13

图17：中国纯电动车销量结构 14

图18：中国混插汽车销量结构 14

图19：中国碳化硅车型数量变化（款） 15

图20：各价位新能源车碳化硅车型渗透率 15

图21：2020年碳化硅衬底竞争格局 17

图22：2023年碳化硅外延竞争格局 17

表1：海外碳化硅大厂产能及8英寸产能规划 11

表2：中国碳化硅大厂产能及产能规划 12

表3：不同车级IGBT价值量（估算） 13

表4：IGBT行业竞争格局 16

表5：功率半导体行业建议关注公司 17

总体观点

1、IGBT出货量从23Q4开始出现边际改善迹象，到24Q2回到正向增长阶段，标志着行业性衰退进入尾声。IGBT价格下跌幅度收窄，自24Q1同比下滑幅度接近30%后，处于较为稳定状态，供需结构趋于平衡，IGBT价格已经进入相对底部。未来随着下游需求逐步进入复苏阶段，将提振IGBT需求，带动IGBT市场进入回暖阶段。

2、产能端：尽管国内IGBT产量保持较高增长态势，但整体自给率水平相对较低，未来中国厂商持续扩产，技术持续突破，凭借不弱的性能表现和较高的性价比，自给率将逐步提高。

2024年碳化硅产业或将进入供过于求阶段，导致碳化硅价格持续下探。2024年，SiC晶圆需求并未出现较大提升，但全球SiC产能较2023年提升50%以上。从海外大厂产能扩张节奏来看，2025年将成为8英寸碳化硅衬底释放的重要节点，Wolfspeed、Rohm、Onsemi为代表的头部企业，均计划在2025年前后实现8英寸SiC衬底的量产。

从中国产能来看，2024H1中国SiC衬底产能较2022年提升约3倍，达到348万片，虽然目前中国产能仍以6英寸为主，但士兰微、三安光电等头部企业已开始在8

英寸布局。在产能集中释放、工艺持续优化，及叠加8英寸产线升级等因素催化下，

市场正由结构性紧缺转向供给过剩，碳化硅价格将持续下滑，预计2028年全球碳化

硅衬底均价下跌至3200元/片，中国由于本土产能释放快于海外，预计2028年将下

探至2300元/片，较全球均价形成900-1000元的显著价差。

3、需求端：中低端车型提振IGBT用量需求。中低端车型为新能源汽车主要市场，各大车厂竞争激烈，带动汽车价格下沉，叠加智能驾驶下沉中低端车型市场，带动中低端车型销量占比进一步提升。中低端车型竞争激烈，车厂更加注重成本管控，中低端车型使用SiC的可能性较低，预计短期内仍将使用成本较低的IGBT，中低端车型销量占比提升将提振IGBT用量需求。

随着30万以上纯电动车型比重提升、400V向800V升级，叠加碳化硅整体成本持续下降，将推动碳化硅模组产品在中高阶车型上的渗透率持续提升。此外，随着碳化硅衬底产能和良率的提升，叠加8英寸衬底量产，成本持续降低，预计2026年碳化硅模组与IGBT模组的价格差或将从2-3倍收窄至1.5倍以下，届时将有望打开规模化应用空间。

4、竞争格局：海外大厂占据IGBT市场主导，中国厂商份额提升。2022年分立式IGBTCR10约为87%，英飞凌、富士电机、意法半导体等海外公司占据市场主要份额，仅有一家中国公司士兰微上榜，但随着士兰微技术突破和产能扩张，市场份额从2019年的2.2%提升至2022年的3.4%。2022年IGBT模块全球