网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

模电课件07第一章共射BJT小信号等效模型及参数.pptxVIP

模电课件07第一章共射BJT小信号等效模型及参数.pptx

  1. 1、本文档共10页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

RbRCusEBuCEuBEECNPN管共射组态的放大电路us是要放大的信号电压,称为输入电压EBEC是直流偏置电压RC称为集电极电阻RC能将集电极回路中的信号电流转化成为放大以后的信号电压

1.4.4共射BJT小信号等效模型及参数

五共射BJT小信号等效模型及参数

IBVBEVbeibiBRbRCvsEBvCEvBEECvCE

(一)晶体管的混合π型等效电路及参数rce·cπcμrbb’eoc·==··rccreerμrπob’bgmv1o基区复合电阻rbe所以

(一)晶体管的混合π型等效电路及参数rce·cπcμrbb’eoc·==··rccreerμrπob’bgmv1o集电结电阻rbcrbc很大,约在100kΩ~10MΩ之间

(一)晶体管的混合π型等效电路及参数==rce·cπcμrbb’eoc·==··rccreerμrπob’bgmv1o(4)集—射极间电阻rcerce的值较大,通常在几十千欧姆以上

(一)晶体管的混合π型等效电路及参数==rce·cπcμrbb’eoc·==··rccreerμrπob’bgmv1o(9)BJT的跨导gm

(一)晶体管的混合π型等效电路及参数cπ·rμrbb’·==rcecμeoc··rccreerπob’bgmv1o

(二)简化π型等效电路cπ·rμrbb’·==rcecμeoc··rccreerπob’bgmv1o低频信号小大rbc反偏集电结电阻,rbc≈βrce,其值很大低频简化π型等效电路

六H参数等效电路

六H参数等效电路Q·Vbeibhie是当BJT输出端交流短路(uce=0或uCE=常量)时的输入阻抗hie表示为:BJT的输入特性曲线在工作点上切线斜率的倒数hre是当BJT的输入端交流开路(ib=0或iB=常量)时,输入电压ube随输出电压uce的变化之比,反映了输出回路对输入回路的影响,称为BJT的内部电压反馈系数输出电压对输入特性曲线有基区宽调效应(early效应)。hre是一个无量纲的比例系数,其值很小,如果忽略early效应,hre=0ΔuBEuBEiBIBΔuCE

六H参数等效电路

icuceΔuCEΔIcicuceuCEib1ib2=ib1+ΔIBΔIC

通常输出回路中的负载电阻RC(或RL)比BJT的输出电阻1/hoe小得多,当负载电阻RC(或RL)较小,满足RC//RL0.1/hoe的条件时,可以把hoe忽略掉六H参数等效电路

hre≈0

六H参数等效电路混合π型等效电路和H参数等效电路的关系hfeib=gmube=gmibrbehfe=gmrbe其中H参数的典型值为hie=rbe=rbb’+rbe=1.4kΩhre=5ⅹ10-4hfe=β=50~100hoe=5ⅹ10-5Srce=1/hoe,hfe=βhie=rbe=rbb’+rbe=rbb’+(1+β)UT/IErbe=rbb’+(1+β)UT/IE

七共射BJT的频率参数fβ,fT1fβfTf010203

7.PN结的伏安方程为()。该方程反映出PN结的基本特性是()特性。此外,PN结还有()效应和()特性。单向导电电容反向击穿8.PN结电容包括()电容和()电容。PN结反偏时,只存在()电容。反偏越大,该电容越()势垒扩散势垒大9.普通Si二极管的导通电压的典型值约为()伏,而Ge二极管导通电压的典型值约为()伏。0.70.310.()二极管的反向饱和电流远大于()二极管的反向饱和电流SiGe11.PN结的反向击穿分为()击穿和()击穿两种机理雪崩击穿齐纳击穿

12.稳压管是利于PN结()特性工作的二极管。反向击穿13.变容二极管是利于PN结()特性工作的二极管。电容15.当发射结正偏,集电结反偏时,BJT工作在()区,当发射结和集电结都()时,BJT饱和;当发射结和集电结都()时,BJT截止放大正偏16.放大偏置的NPN管,三电极的电位关系是(

文档评论(0)

wangwumei1975 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档