电子电路系统lecture 3 bjt ed cc cb amplifier analysis fd week2讲座.pptx

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2025-04-14 发布于北京
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电子电路系统lecture 3 bjt ed cc cb amplifier analysis fd week2讲座.pptx

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1ElectronicCircuitsandSystems EEE211IntroductiontothebasicbipolartransistoramplifierconfigurationsYujiaZhaiDept.ofElectricalElectronicEngineeringXJTLU

2GoldenRulesfordrawingequivalentcircuitsDrawtheequivalentcircuitofthetransistorfirstReplacecapacitorswithzeroimpedances(weareinterestedin‘mid-frequency’regimeswheretheimpedanceofthecircuitcapacitorswillnormallybezero)3. Identifythea.c.grounds(rememberthatvoltagesuppliesbehavelikeazeroresistancefora.c.signals!) 4. Addtheremainingcircuitcomponentstoobtainthecompleteequivalentcircuit.Wefirstextendthetransistorequivalentcircuittoincludetheinternalbaseresistance,rbElectronicCircuitsandSystems EEE211

3Whatistheinternalbaseresistancerb?eN+PbN-N+N+P-P+crbregionb’rbr?gmv?robev?b’vbeceSotheequivalentcircuitnowes:rbistypicallyafewtensofohmsandesparticularlyimportantathighfrequencies.rbrepresentstheresistanceofsemiconductormaterialbetweentheexternalbasecontactbandtheactiveinternalbaseregionb’ElectronicCircuitsandSystems EEE211

4Havingestablishedourmodelforthebipolartransistor,wearenowinapositiontoanalysethefourbasicamplifierconfigurations.Wewillseethateachconfigurationhasparticularpropertiesthatwecanusefullyemploywhenbuildingupmorecomplexelectroniccircuits.2) Commonemitterwithemitterdegradation(CE-ED)3) Commoncollector(CC)-alsoknownasemitterfollower(EF)4) Commonbase(CB)1) Commonemitter(CE)BasicbipolartransistoramplifierconfigurationsElectronicCircuitsandSystems EEE211

5Thecommonemitteramplifier(CE)Wehavealreadyanalysedanexampleofthiscircuit,butnotetheadditionofseveralextracomponentshere.vSiiR1icRcR2RECERLvo0V+VccCcCcRSThefullequivalentcircuitwouldbe:v?r?EBiigmv?CicR1R2r0RCRLrbvovSRSCCCCCEREElectronicCircuitsandSystems EEE211

6Wenowmakethreeimportantsimpli