Ⅲ族氮化物半导体深紫外激光二极管结构优化：从理论到实践.docx

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2025-04-14 发布于上海
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Ⅲ族氮化物半导体深紫外激光二极管结构优化：从理论到实践

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体技术在现代社会中扮演着愈发重要的角色。Ⅲ族氮化物半导体凭借其独特的物理性质，如宽禁带、高击穿电场、高电子饱和漂移速度等，成为半导体领域的研究热点之一。其中，Ⅲ族氮化物半导体深紫外激光二极管（DUVLDs）作为一种能够产生深紫外激光的关键器件，在多个领域展现出了巨大的应用潜力，引起了广泛的关注。

深紫外激光具有波长短、能量高的特点，使得Ⅲ族氮化物半导体深紫外激光二极管在国防军事领域发挥着不可或缺的作用。在军事通信方面，深紫外激光由于其波长短、方向性好、抗干扰能力强等优势，