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SiGe材料助力太阳能电池效率提升：pin结构的仿真研究

摘要：随着绿色能源建设和国家“碳中和”目标的落实。占据电力供应大的火力发电有被核能、

风能、太阳能等新能源取代的趋势。加上疫情后各国竞争态势明显，太阳能以其更强的地理适应能

力，更小的投入需求，更灵活的独立组网能力，在多种新能源中脱颖而出。其未来市场需求潜力巨

大。然而，目前制约太阳能发展的主要因素是投入产出比。其中最主要的是太阳能的转化效率。本

论文通过对传统Si太阳能电池的原理进行剖析。并在此基础上论证一种新型，即以硅诺材料作为本

征层的p-i-n型太阳能电池新型结构的设计。以求优化提高太阳能电池的转化效率。然后，通过半导

体器件模拟仿真软件对基本型和改进型两种太阳能电池进行仿真模拟。得出反映太阳能电池转化效

率的相关数据参数，并通过比较不同本征层厚度下的仿真结果最终论证得出p-i-n型SiGe太阳能电

池结构比传统Si太阳能电池有更高的转化效率且在一定范围内本征层越厚转换效率越高的结论。本

论文为P-i-n型SiGe太阳能电池的应用探索了理论可行性。

关键词：太阳能电池；SiGe;p-i-n;结构设计；转化效率

1绪论

1.1研究背景

由于资本对于高转化率和产品柔性的追逐。目前在太阳能电池领域，钙钛矿和有机光伏材料的

研究正处于前沿。然而，以硅作为基底的硅诺材料可以根据光谱吸收率调节带隙以达到较高的光吸

收系数，而且SiGe材料具有优秀的抗辐射能力。⑴使其在超高低纬度和太空环境下具有良好的适应

性。目前依然具有研究价值（张豪，刘欣妍，2022）。另外，p-i-n型太阳能电池相较于传统p-n型太阳

能电池拥有更宽的内建电场。而SiGe和SiC对比单质Si又具有优秀的带隙调节能力。由此可知使其

具有更强的光谱适应性。由于传统Si太阳能电池转化效率较低，本设计希望对其结构进行一定程度

上的优化以达到提升其性能参数的目的（赵天宇，张婷娜,2023）。

1.2研究意义

使用寿命长，可靠性好，建设成本低，绿色环保，能够独立组网供电是太阳能电池的优点。较

低的转化效率作为太阳能电池应用领域的短板正逐渐凸显。本课题主要研究如何通过优化太阳能电

池的结构来提升太阳能电池的转化效率。p-i-n型SiGe太阳能电池由于其良好的带隙可调节性和内建

电场宽度。使其在提升太阳能电池转换效率方面有着重要的意义。同时对其他材料的半导体太阳能

电池研究可能具有一定的参考价值。

1.3研究方法

本毕业设计首先通过查阅文献选择其中比较有代表性的太阳能电池结构从理论层面对其进行比

较分析。然后利用TCAD（TechnologyComputerAieDesign）即电子技术计算机辅助设计。利用其

过程仿真和器件仿真软件来达到实验验证的目的。从中可以推知通过比较基础结构和改进结构后的

不同太阳能电池的参数及转换效率来确定太阳能电池的设计结构并进行优化。通过比较给出优化方

案。本毕业设计所采用的器件仿真软件为SilvacoTCAD中的Athena工艺仿真器和Atlas器件仿真器。

2.半体太阳能电池原理

2.1禁带宽度

在微观尺度下，能量不像在宏观尺度下一样可以连续取值。电子在统计学上成为可以导电的自

由电子所在能级的最小值作为上边界（李佳慧，王家豪,2021）。电子在统计学上可以认为其被原子所

束缚所具有能量的最大值作为下边界。从这些观察中可以看出这样上下边界所组成的能量带称作禁

带，其所跨越的能级大小即是禁带宽度。⑵电子若想通过本征跃迁从价带进入导带则必须获得大于

等于禁带宽度的能量（郭太轩，陶雨欣,2020）。

che1.24/、

人=；=希=孟向（印）（211）⑵

Eg（eV）=学Qnn）（2-1-2）⑵

Ac

其中Eg为禁带宽度。4c为截止波长。从公式（2-1-2）⑵中可以得到禁带宽度与截止波长呈反比例

关系（曹嘉伟，胡梓萱,2021）。

2.2内建电场

由半导体材料作为主要材料的