基于第一性原理探究Ⅲ族氮化物异质结界面二维空穴气特性.docx

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2025-04-17 发布于上海
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基于第一性原理探究Ⅲ族氮化物异质结界面二维空穴气特性

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，Ⅲ族氮化物凭借其独特的物理化学性质，占据着举足轻重的地位。Ⅲ族氮化物主要包括氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）及其合金，如AlGaN、InGaN、AlGaInN等。这类材料具有直接带隙，且带隙范围十分广泛，从InN的约0.7eV、GaN的3.4eV到AlN的6.2eV，对应的直接带隙波长覆盖了从红外到紫外的宽波长范围。这种特性使得Ⅲ族氮化物在光电子器件领域表现卓越，成为制造发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等器件的核心材料，在大屏