化学气相沉积法构筑MgO基薄膜及其次级电子发射性能的深度探究.docxVIP

化学气相沉积法构筑MgO基薄膜及其次级电子发射性能的深度探究

一、引言

1.1MgO基薄膜概述

MgO基薄膜是以氧化镁（MgO）为主要成分的一类薄膜材料，其晶体结构为典型的面心立方（FCC）结构，这种结构赋予了MgO基薄膜许多独特的物理性质。MgO具有较高的熔点（2852℃），使其在高温环境下能保持结构稳定，这一特性使得MgO基薄膜在高温应用领域展现出巨大潜力。它还拥有良好的化学稳定性，能够抵抗多种化学物质的侵蚀，在恶劣的化学环境中维持自身性能。在电学方面，MgO是一种宽禁带半导体材料，禁带宽度约为7.8eV，这使得它具有出色的电绝缘性能，被广泛应用于需要电隔离的电子器件