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光刻技术介绍.pptx

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光刻技术介绍

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目录

01光刻技术概述02光刻技术分类

03光刻设备与材料04光刻工艺流程

05光刻技术挑战06光刻技术前景

01

光刻技术概述

定义与原理

光刻技术的定义光刻过程的基本原理

光刻是一种利用光将微小图案精确转移到通过曝光和显影步骤,光刻技术将掩模上

半导体晶片表面的工艺,是芯片制造的关的图案转移到涂有光敏材料的硅片上,形

键步骤。0102成电路图案。

光刻技术中的光源选择光刻技术中的分辨率

光源波长越短,分辨率越高,因此从紫外分辨率是光刻技术的核心指标,决定了芯

到极紫外光,光源的选择对光刻技术至关片上可以实现的最小特征尺寸,影响芯片

0304

重要。性能。

发展历程

光刻技术起源于20世纪50年代,最初用于制造晶体

光刻技术的起源

管和集成电路。

1971年,英特尔推出第一个微处理器,标志着光刻

光刻技术的突破

技术在半导体工业中的重大突破。

光刻技术的微型随着技术进步,光刻技术实现了从微米级到纳米级

化的转变,推动了芯片性能的飞跃。

光刻技术的未来EUV光刻技术的出现预示着光刻技术将进入极紫外

趋势光时代,进一步缩小芯片尺寸。

应用领域

010203

半导体芯片制造微机电系统(MEMS)光电子器件

光刻技术是制造半导体芯片的核心工艺,在MEMS领域,光刻技术用于制造微型传光刻技术在光电子器件如LED和激光器的生

用于在硅片上精确绘制电路图案。感器和执行器,广泛应用于汽车、医疗设产中扮演关键角

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