基于分子动力学方法的图案化Si衬底上原子扩散行为及机制研究.docx

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2025-04-22 发布于上海
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基于分子动力学方法的图案化Si衬底上原子扩散行为及机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，图案化Si衬底凭借其独特优势，在集成电路制造、半导体器件制备等关键环节中占据着举足轻重的地位。随着半导体技术持续朝着小型化、高性能化方向迈进，对图案化Si衬底的性能与质量提出了愈发严苛的要求。原子扩散作为一种在材料制备加工过程中调控材料结构性能的基本过程，在图案化Si衬底的材料生长、性能优化等方面发挥着关键作用，深刻影响着半导体器件的性能与可靠性。

原子扩散直接关乎材料的微观结构演变。在图案化Si衬底上进行材料生长时，原子的扩散路径和速率决定了原子的沉积位置和排列方式