微电子概论（第3版）课件2-3-1平衡pn结C.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》SecondEdition

目录1.pn结二极管结构与特点2.3.1平衡状态下的pn结2.pn结平衡状态的建立过程5.pn结耗尽层宽度4.势垒区两侧边界处载流子浓度的关系3.耗尽层、空间电荷区、势垒区

3.耗尽层、空间电荷区、势垒区(1)耗尽层与耗尽层近似冶金结附近局部区域出现空间电荷。该区域中载流子分布与p区内部以及n区内部明显不同。思考题1：采用线性坐标描述的载流子分布将呈现什么形状？思考题2：冶金结附近区域载流子分布有什么特点？

耗尽层的含义：冶金结附近局部区域，载流子浓度远小于离化杂质浓度，就对空间电荷贡献而言，可以忽略载流子的作用，称为载流子“耗尽”。载流子“耗尽”的区域称为耗尽层（Depletionlayer）3.耗尽层、空间电荷区、势垒区(1)耗尽层与耗尽层近似

耗尽层近似①耗尽层有确定的边界，分别记为-xp和xn（取冶金结处为坐标原点x=0）②耗尽层范围内，n=p=0，耗尽层范围外，载流子维持原来浓度不变。3.耗尽层、空间电荷区、势垒区(1)耗尽层与耗尽层近似则耗尽层宽度W0=(xn+xp)。

(2)空间电荷区（Spacechargeregion）对突变结空间电荷密度分布为电中性条件：eNaxp=eNdxn3.耗尽层、空间电荷区、势垒区

电中性条件：eNaxp=eNdxn若NdNa,则xnxp若突变结一侧掺杂浓度远大于另一侧，称为单边突变结W0=(xn+xp)3.耗尽层、空间电荷区、势垒区(2)空间电荷区（Spacechargeregion）单边突变结的特点结论：耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧。≈xp

(3)内建电势Vbi空间电荷区离化杂质电荷形成从n区指向p区的自建电场。与自建电场对应有n区高于p区的电位分布。n区与p区的电位差称为内建电势，记为Vbi（built-inpotential）3.耗尽层、空间电荷区、势垒区

(3)内建电势Vbi对突变结，定量分析可得：典型半导体材料突变pn结的数值实例若Na=Nd=1016/cm3,室温下（300K）Vbi为：Vbi(Si)=0.7V；Vbi(Ge)=0.32V；思考题：Si二极管正向导通电压也约为0.7V，与Si-pn结的Vbi数值基本相同，仅仅是巧合吗？3.耗尽层、空间电荷区、势垒区

(4)势垒区电势的存在，对多子向对方移动形成“势垒”。p区中导带电子比n区中导带电子势能量高qVbi，也就是说n区中导带电子必须克服这个势能垒才能达到势能高的p区。势能发生变化的空间电荷区又称为势垒区。3.耗尽层、空间电荷区、势垒区基于能带理论可以绘制平衡pn结能带图。

(5)结论平衡pn结的冶金结附近形成了耗尽层，又称为空间电荷区，或者叫势垒区。pn结的各种特性，如单向导电性、交流特性、击穿电压等均与这一区域密切相关。3.耗尽层、空间电荷区、势垒区