电压测量课件.ppt

設待測電阻為Rx,其上壓降為Vx,則有:這樣就將被測電阻Rx變換為相應的電壓Vx進行測量。為適應各種被測電阻阻值範圍，可通過開關S2、S3改變電流I的大小（有4種組合）。例：英國SOLARTRON公司7151型DMM的R/V變換器：被測電阻範圍20MΩ2MΩ200KΩ20KΩ測試電流100nA1μA10μA100μA若被測電阻大於20MΩ，則可通過開關S4接通-3V電源作為恒流管下拉電流通路來測量。圖3-18(a)兩線歐姆測量法(b)四線歐姆測量法測電阻時有兩種連線方法：兩線歐姆測量法和四線歐姆測量法兩線法測量時，測量的電壓Vx包括兩根導線上的壓降，特別是被測電阻較小或者連線太長時,測量誤差會很明顯。四線法測量時，用另外兩根導線直接取Rx兩端的電壓測量（導線上無電流通過），可以減少測量誤差。§3.7電壓測量的干擾及其抑制技術影響電壓精密度的因素1)隨機性干擾如:DVM內部電子的熱雜訊、器件的散彈雜訊等。2)確定性干擾分為串模干擾和共模干擾兩種,見圖3-22。串模干擾（Vnm）—干擾電壓與被測電壓串聯地加到DVM兩個測量輸入端之間。共模干擾（Vcm）—干擾電壓同時作用於DVM的兩個輸入端。1.串模干擾的抑制方法常見方法有兩種:輸入濾波法和積分平均法.輸入濾波法 利用低通濾波器濾除高頻干擾，但會影響DVM對被測信號的回應速度，降低讀數速度。積分平均法(1)積分式數字電壓表對串模干擾的平均作用設正弦波干擾電壓為T1內的平均值:化簡得：為了抑制串模干擾，應使=0，即該式中必有一個因數為零。則滿足下列條件之一，串模干擾就能被全部抑制:a)T1=kTn;b)φ=(n-T1/Tn)×π(2)串模抑制比NMRR因為干擾信號的初相角是隨機的，則的取值在-1和+1之間，考慮最不利情況取為“+1”，則串模抑制比定義:初相角為最壞情況時，可化簡為:注意上面兩公式的應用區別！根據上式可畫出積分式DVM對串模干擾的抑制特性，如圖3-23所示，圖中以fn為參變數，T1=80ms。關於NMRR的幾點討論:(1)當T1/Tn為整數時,NMRR=∝dB。這稱為理想抑制條件;(2)當T1一定時,Tn越小（即fn越高）,對串模干擾抑制能力越強;(3)當干擾信號的週期偏離理想抑制點,NMRR急劇下降;(4)選擇合理的φ也可以使串模干擾完全抑制.2.共模干擾的抑制方法通常DVM和被測信號源相距較遠,需要較長接線,由於接地不良引入共模干擾，如圖3-24所示。因為Z1遠大於其他電阻,最後一項可以忽略,於是:共模抑制比定義：將Vcn代入，得：因為rcm遠小於r2，所以提高共模抑制比的措施：①浮置DVM的低端;②採用雙端對稱輸入電路;③浮置雙端對稱輸入電路;④採用雙重遮罩和浮置.根據共模抑制比的定義有假設Z2=1MΩ,r2=100Ω,則CMRR=80dB（1）浮置DVM的低端減小共模干擾影響的有效的方法是浮置低端，如圖3-25所示。因為Z1r1、rs，Z2r2、rcm，所以Vcm分壓到輸入端的電壓為：因為Z1r1、rs，Z2r2,Z3r2、rcm，所以：因此：假設Z2=Z3=1MΩ,r2=r3=100Ω,則CMRR=160dB所以，要提高CMRR，就要加大Z2、Z3，即將內部電路浮置和內遮罩層浮置。（2）DVM採用雙重遮罩和浮置如圖3-26所示。整個DVM的抗共模干擾設計：1）內、外雙重遮罩、隔離，測量輸入採用遮罩線；2）模擬電路、數字電路之間通過脈衝變壓器、光電耦合器傳遞信號，無電氣通路，相互不會干擾；3）模擬電路、數字電路分別有兩套獨立電源系統，完全隔離。§3.8電壓測量中的自校正技術（簡介）一、自動校零技術由於儀器內部器件（如運放）的零點偏移及溫度漂移，即使零輸入時也有輸出讀數，產生測量誤差。消除方法：自動校零（硬體方法和軟體方法）1.硬體校零方法1）動態校零的基本原理圖3-27輸入電壓和失調電壓同時被放大，而Ad×Vos是非被測量部分，將要引起測量誤差。校零技術的原理就是在放大器的有關部位加一偏移量以抵消失調電壓的影響。校零過程包括零採樣期和工作期。零採樣期是對測量誤差進行採樣；工作期是對被測量