微电子概论（第3版）课件3-1-2D_pn结隔离双极IC工艺流程.pptx

目录1．平面工艺npn晶体管结构3.1.2平面工艺基本流程2．npn晶体管管芯制作工艺流程3．集成电路中npn晶体管结构特点4．pn结隔离双极IC工艺基本流程5．平面工艺类别划分

(3)集成电路“后工序”集成电路加工的后工序包括：①中间测试（简称“中测”）：中测的作用是对晶片上的所有管芯进行功能及部分直流参数的测试，并将对不合格的管芯打上标记。4．pn结隔离双极IC工艺流程②划片：用金刚刀或激光将晶圆分割成一个个管芯，并将中测时打有标记的不合格管芯剔除掉，挑选出中测合格的管芯用于封装。

(3)集成电路“后工序”③芯片粘接：将中测合格的管芯粘在IC封装外壳的底座上。④键合：用金丝或者硅铝丝通过超声等方法将IC管芯上的键合区与外壳上相应外引线连在一起。4．pn结隔离双极IC工艺流程

(3)集成电路“后工序”⑤封帽：将管芯封在管壳中，这就是平时见到的集成电路外形。4．pn结隔离双极IC工艺流程⑥筛选测试：对封装好的器件进行高温老化和功率老化，从封装好的产品中尽早剔除不可靠的电路（称为“筛选”），再按产品规范要求对器件进行全面测试，并将合格产品按特性分类、打印、包装、入库。

无论是pn结隔离双极集成电路还是集成电路中的主流工艺——CMOS工艺，工艺流程差别很大，但是涉及的工艺类型基本相同。根据工序类型的不同，可将平面工艺中的基本工艺划分为管芯制备工艺（前工序）、组装和封装工艺（后工序）、以及辅助工序三类5.平面工艺类别划分

(1)前工序从原始晶片开始到中测之前的所有工序统称为前工序。经过前工序的加工，形成了半导体器件的核心部分：管芯，因此又将其称为管芯工序。前工序中包括以下三类工艺。①薄膜制备工艺。包括外延、氧化、化学气相淀积和金属蒸发或溅射。②掺杂工艺。主要有扩散和离子注入两种。③图形加工技术。包括光刻、刻蚀和制版。5.平面工艺类别划分

(2)后工序5.平面工艺类别划分后工序是指从中测开始直到完成器件封装测试的所有工序。后工序包括中测、划片、芯片粘接、内引线键合、封装、筛选测试等工序。

(3)辅助工序5.平面工艺类别划分前工序和后工序是IC工艺加工流程中直接涉及的工序。为了保证工艺的顺利进行，IC生产中还离不开辅助工序。

(3)辅助工序5.平面工艺类别划分(a)超净卫生环境为了保证成品率和可靠性，防止生产环境中尘埃、湿气等对IC的影响，IC生产必须在超净环境下进行。不同工序对洁净度有要求。例如，光刻工序的洁净程度起码要优于1级，即1立方英尺工作室空间的气体中，直径为0.5μm的尘埃平均数不得大于1个。

(3)辅助工序5.平面工艺类别划分(b)高纯水、气的制备IC生产中使用的水和多种气体（如氧气、氮气、氢气、硅烷等）必须有很高的纯度。例如生活中常用的自来水的电阻率为几十到几百kΩ·cm，而IC生产中用的必须是经过处理的“去离子水”，其电阻率要大于15MΩ·cm。(c)掩膜版的制备提供光刻工序中使用的光刻掩膜版。

(3)辅助工序5.平面工艺类别划分(d)晶圆材料准备包括拉制单晶、切片、磨片、抛光等工序，制备厚度约为0.3mm左右的晶圆片，作为IC生产中使用的衬底材料。