微电子概论（第3版）课件2-4-8A_分立与集成BJT器件结构.pptx

目录1．分立器件BJT结构2.4.8先进BJT结构2．集成电路中的BJT结构?3．双极晶体管结构的改进

1．分立器件BJT结构复习：形成pn结的选择性掺杂原始材料氧化光刻掺杂包括氧化、光刻、掺杂三道工序其中光刻工序确定刻蚀窗口范围的是“版图”中的图形。为了方便起见，采用剖面图显示内部pn结结构。

1．分立器件BJT结构(1)分立器件BJT剖面结构(a)npn双极晶体管剖面图BJT包括两个pn结，因此只要进行两次选择性掺杂就可以形成双极晶体管结构。n--Si衬底材料材料为集电区发射极和基极从芯片表面引出。集电极从底部引出分立BJT

1．分立器件BJT结构(b)分立器件外延BJT剖面结构分立BJT为了解决功率与频率特性之间的矛盾，制造高频-大功率BJT，需要采用外延结构BJT。分立外延BJT(1)分立器件BJT剖面结构

1．分立器件BJT结构BJT两个pn结制作在外延层中n+-Si衬底上生长n--Si外延层(b)分立器件外延BJT剖面结构(1)分立器件BJT剖面结构分立BJT分立外延BJT

2．集成电路中的BJT(1)集成电路中BJT结构附加要求(a)隔离在同一个Si衬底材料中制作的多个BJT需要实现电学隔离。早期采用pn结隔离技术，目前出现了多种隔离效果更好的隔离技术。(b)npn晶体管集电区埋层的引入为了实现多个器件之间的互连，所有BJT的集电极均从表面引出。为了减小集电区串联电阻Rc，需要采用集电区埋层。

2．集成电路中的BJT(2)集成电路中BJT结构分立外延BJT集成电路中的BJT衬底为p-Si材料；衬底上生长n--外延层；晶体管的两个pn结制作在外延层中；在衬底与n--Si外延之间局部区域为n+-埋层

2．集成电路中的BJTp型隔离墙与p型衬底相连，并连至电路最低点位；利用反偏pn结的高阻特性，将外延层分成多个相互隔离的隔离岛；制作在不同隔离岛中的器件实现相互隔离。分立外延BJT集成电路中的BJT(2)集成电路中BJT结构

2．集成电路中的BJT外延层下方的重掺杂n+-埋层减小集电区串联电阻。不同掺杂区范围由版图图形确定。分立外延BJT集成电路中的BJT(2)集成电路中BJT结构