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IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》(第3版)郝跃贾新章史江一
4.3.1双极晶体管结构4.3双极集成器件与电路设计4.3.2双极晶体管寄生效应4.3.3npn晶体管纵向结构设计目录4.3.5双极集成电路版图设计4.3.4npn晶体管横向结构设计4.3.6双极集成电路版图设计实例
版图设计大电流设计:对于大电流应用场景,可以采取多个集电极、基极、发射极结构(如:插指结构),使得电流均匀分布,引线孔采用高掺杂浓度,形成良好的欧姆接触;多接触孔隔离:隔离墙接低电位,不可浮空;
版图设计共隔离岛设计:共集电极的晶体管可以共用隔离岛;埋层需要覆盖所有共集电极的晶体管;非共集电极晶体管不可共用同一隔离岛布线资源紧张时,可以通过增加集电极和基极之间的间距来增加布线资源;发射极和基极之间不允许互连线穿过,否则影响Rb或其它性能
版图设计如果要求两个晶体管参数一致(如镜像管、对管),需要采用相同的器件结构与版图取向,更进一步,需要尽可能相同的电气环境,常常采用dummy设计,临近原则;对称布局、质心布局高精度电阻,电阻端头应采用非对称设计以减小套刻误差;图形拐角等效方数取0.5;多个高精度电阻、电容,布图时,除了增加dummy,可采用质心布局、对称等结构电阻可共用同一隔离岛电阻上方的互连资源可用
版图设计发射区的n+可以用作互连线接触孔、通孔需要满足设计规则;空间富裕,可采用双孔连接,并加宽互连线压焊点放置在四周,焊点大小、间距,满足设计规则要求;焊点下方是否放置器件需以满足设计规则要求
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